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利用晶体结构工程提升GeSe化合物热电性能的研究
GeSe 晶体结构工程 热电性能 半导体
2022/3/11
在热电研究领域，GeSe是一种二维层状结构具有较大带隙的半导体，本征载流子浓度低，热电性能差。在本工作中，采用熔融淬火结合放电等离子活化烧结工艺制备了一系列的GeSe1–xTex（x=0，0.05，0.15，0.25，0.35，0.45）多晶样品，研究了Te含量对GeSe化合物物相结构和热电输运性能的影响规律。结果表明：随着Te含量的增加，GeSe的晶体结构逐渐由正交相向菱方相转变，使得材料的带隙...
中国科学院半导体研究所在二维GeSe的偏振光学特性研究上取得新进展（图）
偏振光学 二维GeSe
2017/11/22
光在传波过程中振动方向对于传播方向的不对称性叫做偏振，偏振也是光作为电磁波的重要特征之一。偏振光探测在线性偏光镜（LPL）、偏振遥感以及医疗诊断治疗等方面已经展现出广泛的应用前景。目前对可见波段的偏振检测研究已比较普及，而对其它特殊波段的偏振探测有待进一步探索。最近，半导体所超晶格室李京波研究员、魏钟鸣研究员和天津大学胡文平教授合作，围绕二维GeSe材料在短波近红外波段（700-1100 nm）的...
Electronic Structure of Surfaces in GeSe Layered Semiconductor
Green´ s function methods Defects Single crystal surfaces Surface defects
2010/4/9
Green´s function method in bases sets of Linear Combinations of Atomic Orbitals (LCAO) is used to calculate the electronic structure of the (010) surface of GeSe semiconductor. The energy states...