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中国科学院大连化学物理研究所专利：一种含镓L沸石的制备方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 镓 L沸石
2024/1/29
一种含镓L沸石的制备方法，将硅源、铝源、镓源、碱源和水按照一定的投料顺序和方法配制成初始反应混合物，其总的摩尔组成为K2O∶Al2O3∶Ga2O3∶SiO2∶H2O＝2～20∶0～1∶0.01～1∶6～18∶40～400，然后在密封的反应釜里水热条件下晶化，晶化温度为120～200℃，晶化时间为1～192小时。晶化产物经过滤、洗涤、烘干、焙烧得到镓部分或完全同晶取代铝的L沸石，产物具有规整的圆盘状...
中国科学院金属研究所专利：碳化硅陶瓷表面多孔拂石分子筛涂层材料及其制备方法
中国科学院化学研究所专利：一种合成沸石咪唑酯微纳骨架结构材料的方法
中国科学院化学研究所 专利 合成沸石咪唑酯 微纳骨架 结构材料
2023/7/24
中国科学院化学研究所专利：一种合成沸石咪唑酯微纳骨架结构材料的方法
以多晶硅颗粒为硅源, 在泡沫碳化硅载体上原位水热合成silicalite--1型沸石晶体。研究了硅颗粒加入量、NaOH浓度以及合成时间等因素对沸石晶体的负载量、晶体尺寸和沸石晶体/泡沫碳化硅复合材料比表面积的影响。结果表明, 以多晶硅颗粒为硅源控制硅酸根的释放速度, 使沸石晶体在碳化硅载体表面异质界面形核, 从而实现沸石晶体在泡沫碳化硅载体表面的连续生长; 当多晶硅量过少时, 溶液中的硅酸根浓度过...
以多晶硅颗粒为硅源, 在泡沫碳化硅载体上原位水热合成silicalite--1型沸石晶体。研究了硅颗粒加入量、NaOH浓度以及合成时间等因素对沸石晶体的负载量、晶体尺寸和沸石晶体/泡沫碳化硅复合材料比表面积的影响。结果表明, 以多晶硅颗粒为硅源控制硅酸根的释放速度, 使沸石晶体在碳化硅载体表面异质界面形核, 从而实现沸石晶体在泡沫碳化硅载体表面的连续生长; 当多晶硅量过少时, 溶液中的硅酸根浓度过...
以多晶硅颗粒为硅源, 在泡沫碳化硅载体上原位水热合成silicalite--1型沸石晶体。研究了硅颗粒加入量、NaOH浓度以及合成时间等因素对沸石晶体的负载量、晶体尺寸和沸石晶体/泡沫碳化硅复合材料比表面积的影响。结果表明, 以多晶硅颗粒为硅源控制硅酸根的释放速度, 使沸石晶体在碳化硅载体表面异质界面形核, 从而实现沸石晶体在泡沫碳化硅载体表面的连续生长; 当多晶硅量过少时, 溶液中的硅酸根浓度过...
油页岩渣制备沸石及其吸附Cr6+性能
沸石 油页岩渣 Cr6+吸附性能
2009/11/4
系统研究了油页岩渣合成沸石过程中NaOH浓度、熔融温度、晶化时间、晶化温度对沸石生成及其Cr6+吸附性能的影响. 结果表明，NaOH浓度和晶化时间主要影响沸石的种类；沸石对Cr6+的吸附率随其制备的熔融温度、晶化时间、晶化温度的增加有增大的趋势，但随NaOH浓度降低而增加；沸石对1 mg/L含铬模拟废水中Cr6+的最大吸附量为1.120 mg/g，吸附率达到89.6%. 考虑到成本，最佳合成条件为...
在泡沫碳化硅载体上自转化合成silicalite--1型沸石晶体
无机非金属材料 复合材料 自转化合成
2009/10/16
以泡沫碳化硅载体内的残余硅为硅源, 在泡沫碳化硅载体上自转化合成silicalite--1型沸石晶体. 用残余硅含量为16.7%的泡沫碳化硅作为载体, 可制备出负载均匀、耐热性好、抗热冲击、比表面积为36 m2g-1的silicalite--1型沸石晶体/泡沫碳化硅复合材料. 研究了泡沫碳化硅载体的残余硅含量和水热合成溶液的组成等因素对沸石晶体的自转化合成及其形貌的影响. 结果表明, 泡沫碳化硅载...