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本发明提供了提供一种铜‑金纳米簇体系比率荧光检测三硝基甲苯的方法，该方法首先制备铜纳米簇和金纳米簇，再将铜纳米簇和金纳米簇混合，置于试管或比色皿简易检测容器内，调节pH至弱酸性后，直接实现现场快速荧光比率检测三硝基甲苯。该方法实现了对三硝基甲苯的特异性可视化检测。利用荧光光谱对硝基炸药分子的选择性和灵敏度，结果表明，加入相同浓度的三硝基甲苯和其它干扰物后，荧光光谱在445 nm处的荧光...
本发明公开了一种双活性位修饰的氮掺杂介孔碳的制备方法及用途，该方法利用十二烷基磺酸钠作为牺牲模板，三聚氰胺树脂作为氮源，酚醛树脂作为碳源，六水合硝酸钴和六水合硝酸镍作为金属源，先合成了凝胶状前驱体，再通过两步热解的策略成功合成了双活性位点负载的氮掺杂介孔碳。合成的催化剂具有良好的介孔结构，有利于催化过程中的质量传输。热解过程形成的CoN4活性位使催化剂具备了较高的氧还原催化活性且催化过程接近理想的...
本发明涉及一种高稳定负温度系数热敏陶瓷材料的制备方法，该方法以通过以Mn2O3、Co2O3、NiO为初始氧化物原料，并掺杂特定化学计量比的Al2O3与Ho2O3，经过研磨、煅烧、研磨、压块成型、冷等静压成型、高温烧结即可得到高稳定负温度系数热敏陶瓷，其材料常数B25/50℃的范围为3561?3998K，温度0℃电阻率的范围为10703?12847Ω·cm，采用本发明制备的高稳定负温度系数热敏陶瓷材...
本发明涉及一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法，包括鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应晶体管构建、寄生晶体管沟道电流方程构建、开展鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应试验、模型参数提取的步骤。本发明的理论基础是总剂量辐射效应在鳍式场效应晶体管隔离氧化物内产生氧化物陷阱电荷，减小寄生晶体管阈值使其提前导通，导致鳍式场效应晶体管亚阈值电流上升。本发明依据辐射损伤物理机理提出参数退化方程，退化方程中的参...
本发明提供一种高氯酸盐可视化荧光探针分子及其制备方法，该方法采用将苯硼酸、2,5?二溴苯?1,4?二甲醛、4?吡啶乙腈盐酸盐和Br?CnH2n+1(n=3?9)在加热条件下经后处理纯化得到探针分子。探针分子溶液呈淡黄色且无荧光；加入高氯酸根后，由于高氯酸根与探针分子之间的范德华相互作用能使其发生聚集行为，导致溶液发出明亮的绿色荧光，通过荧光颜色信号变化实现高氯酸盐的定性检测。通过精确调制探针与高氯...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：化合物九羟基三氯七硼酸三铷和九羟基三氯七硼酸三铷双折射晶体及制备方法和用途
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 九羟基三氯七硼酸三铷 双折射晶体
2023/11/30
本发明涉及一种化合物九羟基三氯七硼酸三铷和九羟基三氯七硼酸三铷双折射晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为Rb3[B(OH)3][B3O3(OH)3]2Cl3，分子量为687.50，采用温和的溶剂蒸发法制成。该晶体化学式为Rb3[B(OH)3][B3O3(OH)3]2Cl3，分子量为687.50，属于六方晶系，空间群是P63/m，晶胞参数a=13.7234(9)?，b=13.7234(9)?，c...
本发明涉及一种氮化铁和氮共掺杂的碳材料制备方法及用途，该方法涉及的装置是由原料罐、粉末输送管、物料混合罐、搅拌器、溶液配制罐、溶液输送管、悬浊液输送管、干燥机、粉末收集罐、连续式炭化炉、粉末洗涤罐、溶液喷洒管、溶液喷嘴、二次水储存罐、液体输送管、乙醇储存罐、出料口与储料罐组成，以生物质作为碳源，再掺入铁离子，并在氨气中进行热解，得到氮化铁和氮共掺杂的碳材料。该材料比表面积大，氮化铁分散均匀，氮化铁...
查德·米尔金（Chad A. Mirkin），男，美国国籍，物理化学家。1963年11月出生于美国凤凰城。1989年在宾州州立大学获得博士学位。现任美国西北大学终身教授，纳米技术国际研究所所长。2009年当选为美国工程院院士，2010年当选为美国国家科学院院士，美国国家医学院院士，是为数不多的美国三院院士，也是两届奥巴马政府总统科技顾问委员会成员。2017年当选为中国科学院外籍院士。
查尔斯·李波（Charles M. Lieber），美国国籍，物理化学家。1959年4月生于美国费城。1985年获得美国斯坦福大学博士学位。2002年当选为美国国家艺术与科学院院士，2004年当选为美国国家科学院院士。
中国科学院金属研究所专利：一种耐高温、抗氧化锆铝碳陶瓷粉的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 锆铝碳陶瓷粉
2023/11/28
中国科学院金属研究所专利：一种耐高温、抗氧化锆铝碳陶瓷粉的制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种低温制备大块致密高纯单相Y2SiO5陶瓷快体材料的方法
中国科学院金属研究所专利：氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法
中国科学院金属研究所 专利 氧化硅 单壁碳纳米管 纳米电缆
2023/11/28
本发明涉及纳米电缆的合成技术,特别提供了一种电弧放电法原位合成无定 形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放 电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗 性阳极,起弧放电后,石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发,原位合成 出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、 介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点,是纳...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：无机水合盐二氧化硅相变材料及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：氧化锌压敏陶瓷及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 氧化锌 压敏陶瓷
2023/11/27
中国科学院合肥物质科学研究院专利：氧化锌压敏陶瓷及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备铪铝碳陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 铪铝碳 陶瓷材料
2023/11/27
本发明涉及耐超高温陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位反应制备陶瓷铪 铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C5、Hf2Al4C6及多相复合)材料的方法,解决现有技术制 备的铪铝碳陶瓷材料不实用等问题。采用一定化学计量比的Hf粉、Al粉和C粉 为原料,原料经过球磨5-50小时,以10-20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨 模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空...