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中国科学院金属研究所专利：一种耐高温的选择性太阳能吸收膜及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 太阳能吸收膜
2023/11/11
一种耐高温的选择性太阳能吸收膜,其特征在于：其由透明搪瓷母体和超细金属颗粒按一定比例组成；其中：超细金属颗粒具体为以下几种之一或其组合：镍基合金、铁基合金、镍、铁、铬、铝、锌、钨、钼。由本发明得到的选择性太阳能吸收膜为具有微孔结构的金属/搪瓷复合薄膜,其耐热温度达到600℃以上,太阳能吸收率达到95％及以上,红外辐射率小于5％,并具有良好的耐大气腐蚀性能。所述的制造方法可适合于批量自动化生产,可将...
中国科学院金属研究所专利：薄膜材料电/热/力藕合作下性能测试系统及测试方法
中国科学院金属研究所专利：一种适用于钒电池的有机无机复合质子交换膜的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 钒电池 复合质子交换膜
2023/11/10
本发明涉及全钒氧化还原液流电池领域,具体是一种适用于全钒氧化还原液流电池的有机无机复合质子交换膜的制备方法。其制备方法：首先,以聚合物为原料,通过浓硫酸磺化,制得磺化聚合物；然后,加入不同比例的杂多酸,搅拌溶解得到成膜液；再用聚丙烯锂离子电池隔膜作为增强膜,利用流延法、涂浆法、浸胶法等成膜方法来制备磺化聚合物/杂多酸/聚丙烯复合膜。本发明制备的复合膜具有良好的阻钒性能、溶胀性,质子传导性、机械性能...
中国科学院金属研究所专利：一种多层薄膜的沉积装置
中国科学院金属研究所 专利 多层薄膜 沉积装置
2023/11/10
本实用新型属于金属材料表面沉积超硬多层涂层技术领域,具体为一种钛/氮化钛多层薄膜的沉积装置。它是在同一个真空室中,通过交替通入不同气体,开启电弧蒸发源沉积超硬多层薄膜,可以实现多层薄膜厚度的精确控制。在该沉积装置通入氩气和氮气的管路上接有气体质量流量控制器、时间继电器和气体质量流量显示仪,气体质量流量控制器连接时间继电器,时间继电器连接气体质量流量显示仪。本实用新型解决了电弧离子镀沉积多层薄膜时采...
中国科学院金属研究所专利：一种制备孔径可控、通孔阳极氧化铝膜的方法
中国科学院金属研究所 专利 孔径可控 通孔 阳极 氧化铝膜
2023/11/10
本发明涉及阳极氧化铝膜的制备技术,具体为一种制备孔径可控、通孔阳极氧化铝膜的方法。本发明将带铝基底的阳极氧化铝膜在高氯酸和丙酮混合溶液中进行阳极电解处理,可在短时间内(2-300s)获得两端开口、孔径可控的阳极氧化铝膜,阳极氧化铝膜的顶端和底端孔径分别在10-100nm和5-25nm范围内精确可控。将经阶梯降压法氧化带有铝基片的氧化铝膜置入高氯酸的丙酮溶液中,施加比成膜电压高5～15V的电压,进行...
本发明公开了一种混合基质膜、其制备方法及其应用。该混合基质膜包括基体材料和填料，基体材料为聚醚酰亚胺，填料为分子筛，聚醚酰亚胺选自结构式为式I所示的聚醚酰亚胺中的一种或几种，式I:其中：A为—O—、Z为其中，R为H、CH3或OCH3，B为—O—、—CH2—、—CO—、—SO2—或通过采用上述聚醚酰亚胺作为基体材料，能够充分利用聚醚酰亚胺中的极性醚氧基团提高对CO2的选择性，同时，将具有固有互联孔隙...
本发明涉及一种无纺布/离子液体复合质子交换膜及其制备方法。所述的复合质子交换膜是指采用多孔的无纺布为基体，与叔铵盐类离子液体复合构成的新型无水高温质子交换膜。本发明提出的无纺布/离子液体复合膜在不增湿条件下即具有较好的质子电导能力，在高温(130℃以上)不增湿的条件下具有较好的电池性能。本发明提出的无纺布/离子液体复合膜可以应用于高温质子交换膜燃料电池、直接醇类燃料电池、电化学传感器或其它电化学装...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种自组装层复合膜及其制备和应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 自组装层 复合膜
2023/11/8
本发明涉及一种自组装层复合膜，所述的复合膜是以由有机高分子树脂或磺化有机高分子树脂中的一种或二种以上为原料制备而成的多孔膜为基体，基体经过溶胀剂溶胀后，然后以阳、阴离子高分子树脂通过静电引力自组装于基体表面依次逐层交替而成，自组装层数为1～60层，其中每层自组装层由单层阳离子树脂组装层或单层阴离子树脂组装层构成。该类复合膜与原有多孔膜相比，该类复合膜在保持多孔膜离子传导性的基础上提高其对氢离子和钒...
一种磷铝分子筛膜的恒电流合成方法，采用三电极体系或二电极体系，将基底和合成液置于反应瓶中，采用恒电流法进行电化学合成反应，反应后取出基底，吹干，烘干。本发明合成方法简单、快速。采用本发明方法合成的分子筛膜致密性好，通过调节合成参数,如电流、温度、合成液各组分的浓度等可以对分子筛膜进行可控合成。该分子筛膜合成方法重复性高，适于工业放大。
中国科学院金属研究所专利：一种制膜箱
中国科学院金属研究所 专利 制膜箱 铸膜
2023/11/8
本发明涉及铸膜装置,具体为一种制膜箱。该制膜箱设有箱体、成膜盘、刮膜装置、加热装置、调平装置、溶剂回收装置,成膜盘、刮膜装置、加热装置、调平装置置于箱体内,箱体内的顶部和底部分别安装有加热装置,成膜盘设置于调平装置上部,成膜盘上方设置刮膜装置,溶剂回收装置与箱体内连通,加热装置连接控温仪,控温仪与温度传感器连接,温度传感器分别安装在紧靠成膜盘下方和箱体内的顶部加热装置下方。本发明要解决的技术问题是...
中国科学院金属研究所专利： 一种单层高活性二氧化钛薄膜的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 单层高活性 二氧化钛薄膜
2023/11/8
本发明涉及在不同基体上形成单层高活性(001)晶面占优二氧化钛薄膜的制备方法,具体为一种通过湿化学过程在金属钛或钛合金基底上生长由单层二氧化钛颗粒组成的(001)晶面占优二氧化钛薄膜的方法,解决(001)占优二氧化钛粉体很难形成(001)面全部位于表面以及很难形成致密结合紧密薄膜的问题。将基体上装入有氢氟酸水溶液的反应釜中,经100～200℃加热处理6h～24h,可得到单层(001)晶面占优的二氧...
本发明涉及全钒氧化还原液流电池(VRB)用离子交换膜领域,特别涉及一种增强型钒电池用全氟磺酸离子交换膜及其制备方法。由含有磺酸基团的全氟磺酸离子交换树脂为成膜树脂,树脂溶解于有机溶剂中得到成膜溶液,由成膜溶液形成全氟磺酸离子交换膜；在全氟磺酸离子交换膜中间有一层聚四氟乙烯网布作为增强材料；或者,在两层聚四氟乙烯网布中间有一层全氟磺酸离子交换膜。该膜即具有高的化学稳定性、高的电流密度,又比全氟磺酸膜...
中国科学院金属研究所专利：一种单层高活性二氧化钛薄膜的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 单层 二氧化钛薄膜
2023/11/8
本发明涉及在不同基体上形成单层高活性(001)晶面占优二氧化钛薄膜的制备方法,具体为一种通过湿化学过程在金属钛或钛合金基底上生长由单层二氧化钛颗粒组成的(001)晶面占优二氧化钛薄膜的方法,解决(001)占优二氧化钛粉体很难形成(001)面全部位于表面以及很难形成致密结合紧密薄膜的问题。将基体上装入有氢氟酸水溶液的反应釜中,经100～200℃加热处理6h～24h,可得到单层(001)晶面占优的二氧...
中国科学院金属研究所专利：一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 石墨烯 薄膜场 发射材料
2023/11/8
本发明涉及场发射电子材料领域,特别提供了一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法。该方法包括：(1)采用超声方法将石墨烯与可以提供电荷的金属阳离子无机盐均匀分散在极生较低的有机溶剂中,或将石墨烯直接分散在离子型表面活性剂的水溶液中,制备出稳定的带电荷的石墨烯溶液；(2)在外加电场作用下,利用电泳沉积方法将带有电荷的石墨烯有序沉积在导电基板上,制备出石墨烯薄膜。本发明场发射材料为均匀致密、由富含垂直于表面...
中国科学院金属研究所专利：一种全氟磺酸复合质子交换膜的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 全氟磺酸 质子交换膜
2023/11/7
本发明涉及全钒氧化还原液流电池隔膜领域,具体地说是一种适用于全钒氧化还原液流电池的全氟磺酸复合质子交换膜的制备方法,解决现有技术中存在的质子交换膜稳定性较差、工艺复杂、价格昂贵等问题。以全氟磺酸树脂为原料,通过极性溶剂溶解,形成全氟磺酸树脂溶液；将聚丙烯镍氢电池用隔膜做为增强膜与全氟磺酸树脂溶液混合采用分步流延法、涂浆法、浸胶法等成膜方法来制备全氟磺酸/PP全氟磺酸复合质子交换膜。本发明制备的复合...