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搜索结果: 1-15 共查到知识库 钨相关记录500条 . 查询时间(0.094 秒)
中国钨钼产业月度景气指数监测结果显示,2023年3月份,中国钨钼产业景气指数为24.7,较上月下降1.2个点,仍处于“正常”区间;先行合成指数为50.0,较上月下降0.7个点
中国钨钼产业月度景气指数监测结果显示,2023年1月份,中国钨钼产业景气指数为26.6,较上月上升0.5个点,处于“正常”区间;先行合成指数为47.2,较上月下降0.2个点。
中国钨钼产业月度景气指数监测结果显示,2022年12月份,中国钨钼产业景气指数为25.8,较上月增长1.2个百分点,处于“正常”区间;先行合成指数为48.7,较上月增长1.0个百分点。
中国钨钼产业月度景气指数监测结果显示,10月份,中国钨钼产业景气指数为27.3,较上月上升1.4个点,处于“正常”区间;先行合成指数为46.9,较上月上升1.3个点。
中国钨钼产业月度景气指数监测结果显示,2022年11月份,中国钨钼产业景气指数为25.2,较上月增长0.9个百分点,处于“正常”区间;先行合成指数为47.0,较上月增长0.8个百分点。
2022年3月23日,国家发改委,国家能源局联合印发《氢能产业发展中长期规划(2021-2035年)》,其中提到要探索开展可再生能源制氢在合成甲醇等行业替代化石能源的示范。近日,新加坡南洋理工大学刘文教授研究团队报道了一种Cu/W-CeO2催化剂,用于CO2加氢制甲醇,反应速度提升了10倍。相关成果发表于Applied Catalysis B: Environmental。
分别从基体和铝酸盐两方面优化了钡钨阴极。在基体方面,首先采用窄粒度钨粉结合放电等离子体烧结获得了孔径分布窄的基体;再利用射频等离子体球化技术制备了球形钨粉,采用球形钨粉制备了多孔基体,获得了孔通道光滑、内孔连通性好、孔径分布更加窄的基体。与窄粒度钨粉基体相比,球形钨粉制备的阴极,空间电荷限制区的斜率由1.25增加至1.37,发射均匀性得到提高,拐点电流密度由6.6A·cm–2增至6.96A·cm–...
本研究利用种子层辅助的水热反应法,在导电玻璃上沉积生长三氧化钨(WO3)晶体结构薄膜.通过调控水热反应溶液中盐酸、草酸的浓度以及后处理温度,分别得到花朵状、海胆状和多孔花瓣状的WO3晶体结构薄膜.采用扫描电子显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和电化学表征等手段研究了不同拓扑结构形成的机理及其对WO3电致变色性能的影响.结果表明:盐酸中的Cl–具有促进WO3晶体沿c轴方向生长的作用,而草酸具有促进W...
在乙酸钠水溶液中,采用微波加热一步自组装策略合成了一系列罕见的2,6-吡啶二羧酸修饰的稀土嵌入Keggin型碲钨酸盐(PTEA)7H3K[RE2(B-α-TeW9O33)3W3O5(H2O)3(HDPA)]·22H2O[RE=Ce3+(1),Pr3+(2),Nd3+(3),Sm3+(4);H2DPA=2,6-吡啶二羧酸;PTEA=质子化的三乙醇胺].化合物1~4的聚阴离子由3个三缺位Keggin型...
采用阳极氧化法与原位还原碳化法相结合,在电击穿条件下可控制备了具有介孔结构的碳化钨纳米片团簇(WCNFs)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、N2吸附-脱附测试表征其物相、微观结构和孔径分布。在1mol·L-1H2SO4溶液中采用线性扫描伏安法、循环伏安法、计时电流法以及交流阻抗谱测试催化剂的电化学性能。结果表明,在650℃下还原碳化所制备的WCNFs具...
采用扫描电镜(ScanningElectronMicroscope,SEM)、导电原子力显微镜(ConductiveAtomicForceMicroscope,CAFM)、能谱仪(EnergyDispersiveSpectrometer,EDS)和纳米压痕等表征技术和方法,综合分析了130eV氢(H)离子辐照诱导的多晶钨(W)材料的辐照损伤行为。研究表明:H离子辐照剂量从1.0×1024ions?...
以磷钨酸(H3PW12O40)和氯化铯(CsCl)为原料,两亲型三嵌段共聚物F127为模板剂,按不同的Cs/P比制备了一系列介孔磷钨酸铯盐(CsxH3-xPW12O40,m-CsPW)。通过X射线粉末衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、场发射透射电子显微镜(FETEM)、N2吸附-脱附测试和小角X射线散射(SAXS)等手段对所得样品进行了表征。结果表明,样品是由纳米微晶组装而成的晶...
采用低能(50eV)大流强的He+辐照多晶钨材料,辐照温度1420±50K,辐照剂量从1.0×1024ions/m2逐渐增加到1.0×1027ions/m2,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、称重等手段分析辐照后钨样品表面微观结构的形貌改变及质量损失的情况,系统的研究了He+辐照剂量对钨纳米丝生长的影响.结果表明,随着He+辐照剂量的增加,钨纳米丝的厚度最终达到饱和,由于辐照后钨表面存在致密的钨纳...
为研究辐照时处于电子激发态下第一壁材料钨(W)的结构演化规律和热力学性质,采用紧束缚方法对聚变堆中W的物理性质进行理论研究。结果表明,体系在高能粒子辐照下诱导的电子激发导致了体系中被辐照的区域自发出现微孔、晶格急剧膨胀、熔点下降等现象。具体地,在中等电子温度(~5 000 K)以下,W的晶格膨胀主要由晶格温度驱动,但在电子温度较高时电子温度导致被辐照区域的晶格膨胀效应不可被忽略。特别是当电子温度很...
钨/铜界面是聚变堆偏滤器的重要连接界面,在高热流密度和强中子辐照下会成为氢同位素渗透滞留的高速通道和捕获陷阱。本文利用第一性原理方法研究了钨/铜界面处氢原子与点缺陷的相互作用,考察了氢原子的滞留行为和空位在界面处的形成行为,分析了氢原子的优先占据位置及氢原子与空位的作用机理。结果表明:在钨/铜界面中,氢原子稳定存在于钨/铜界面中间及铜晶格中;对于空位,界面附近的铜空位不稳定,会自发移动到钨/铜界面...

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