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二维共价有机框架(2D COF)材料在催化、分离、传感、储能等领域具有广泛的应用前景,尤其是具有共轭结构的2D COF,载流子可以在其二维分子平面内传输,展现出优异的半导体性质,有望应用于光电器件领域。然而,由于该材料既不溶解,也不熔化,难以通过传统的聚合物加工方法制备高质量薄膜。因此,发展原位合成技术,直接制备高质量的2D COF薄膜,对于COF的基础研究和实际应用具有重要意义。
随着电子设备的小型化和柔性可穿戴设备集成化发展,从周围环境中收集能量,为低功耗的可穿戴电子产品供能这一研究备受关注。湖泊和海面的自然蒸发、植物蒸腾和呼吸作用以及湿气在大气环境中无处不在。近年来,科研人员剖析了从环境湿气中收集电能的纳米材料(如碳纳米材料、生物质纳米材料以及金属氧化物等),为柔性可穿戴电子设备提供持续能源。
2022年3月28日,中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室与高功率激光物理联合实验室开展合作研究,在HfO2-Al2O3混合物单层膜的皮秒激光损伤性能研究方面取得进展。相应研究成果发表于《应用表面科学》(Applied Surface science)。
介质电容器具有储能密度大、磁滞损耗小、温度依赖性低、温度适应性强等优点,在电子器件的高温应用中显示出巨大的优势。在这项工作中,我们使用溶胶-凝胶法在Pt(111)/TiOX/SiO2/Si(100)衬底上制备了CuX(Ba0.88Ca0.12)1-X(Zr0.12Ti0.88)O3(X=0.1)无铅弛豫铁电薄膜电容器,得到了很大的储能密度(W~ 28.776 J/cm3)和超高效率(η ~87.3...
铁电薄膜同时具有较大的正、负电卡效应,在现代电子、通信、医疗、军事等领域有着广泛的应用前景。电卡效应具有高制冷性能,它的实际应用面临两个关键挑战:一是设计更合适的冷却系统,以保证更大的温度跨度和冷却效果;第二个是寻找更合适的材料,既保证了优良的制冷效果,又廉价易得。一个冷却循环中的负电卡效应可以通过在冷却过程中持续施加电场完成冷却过程,这将比使用单个正电卡效应或负电卡效应表现出更高的电卡效应。因此...
2020年12月8日,由中国科学院上海硅酸盐研究所古陶瓷与工业陶瓷工程研究中心主办的青年论坛——“功能薄膜材料的光、电、热性能研究及其应用”交叉学科论坛在上海硅酸盐所嘉定园区举行,11位来自科研院所、高校的专家学者作学术报告。上海硅酸盐所副所长苏良碧、科技综合处处长刘军出席会议。会议主席、中心主任助理曹逊主持开幕式。苏良碧对与会专家学者表示热烈欢迎,并介绍了上海硅酸盐所的发展历史以及在功能薄膜方面...
利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果与实验吻合,材料纵向组分分布与通过能谱测量的样品截面组分变化趋势一致.用光伏器件的制作工艺,选取气相外延生长的Au掺杂中波材料,制备了10元线列器件,测试结果表明器件性能较好,95 K黑...
为进一步改善大型固体激光器3倍频用薄膜的光学及损伤特性,利用不同的测试方法系统对比研究了电子束蒸发方式制备的几种紫外薄膜的光学常数、晶体结构、表面粗糙度以及弱吸收和其激光损伤特性间的相互关系。研究表明:薄膜的弱吸收和其禁带宽度共同制约了其激光损伤阈值,而薄膜因晶相结构的产生而增大的表面粗糙度对其激光损伤阈值无影响。大弱吸收的薄膜其损伤表现为非常微小的吸收点向外扩张构成的较大的破坏点,而低弱吸收的薄...
考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点,本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜,制备了MgZnO的MSM型紫外探测器。该器件实现了在日盲(太阳盲)波段的光响应,典型的光响应峰值分别在225和250 nm,截止边为230和273 nm。 ...
Si基探测器与硅读出电路的单片集成不仅使光电芯片在性能上得到重要改善,还可极大地降低成本。 在对量子阱、量子点原理描述的基础上,综述了它们应用于薄膜红外探测材料的研究进展,提出了近期工作的重点。
使用经典洛伦兹谐振子模型对热蒸发制备的锗、硫化锌以及低吸收稀土氟化物薄膜的红外透射光谱进行拟合,得出这些材料在中长波红外区的光学常量.使用这三种材料设计并制备了锗窗口7.7~15μm宽带增透膜系,通过优化设计并且使用长波红外区吸收小的低折射率材料,在长波区(13~15μm)的透过率测量值有明显提高,15μm处的透过率为89.9%.
铁电薄膜材料生长及特性     铁电  薄膜材料  薄膜       2009/5/22
铁电薄膜材料生长及特性。
热释电PZT的薄膜材料物理与器件物理。
用分子束外延(MBE)技术, 在GaAs(100)衬底上生长了不同Si掺杂浓度(从1016 cm-3到1018 cm-3)的n-GaAs薄膜。通过在室温下拉曼光谱的测量对n-GaAs薄膜的谱形进行了分析,拉曼位移出现了明显的移动,光学横模TO峰相对的增强,光学纵模LO峰相对的减弱。文章分析了原因这是由于Si掺杂浓度不断的提高,致使界面失配位错不断地提高造成的,内部应力也在不断的增大,原来的晶格振动...
研究制备铁电薄膜的Sol-Gel技术和射频磁控溅射技术,制备出具有优异热释电性能的MPST、MBST和MPLZT铁电薄膜。进行铁电薄膜非致冷红外探测器阵列绝热层和绝热结构设计与制作。研制新型透明电极薄膜。研究铁电薄膜和电极薄膜微细图形刻蚀技术。研究阵列器件性能测试技术。进行铁电薄膜非致冷红外探测器1×16、1×32、1×128线列和16×16、128×128元阵列结构和版图设计,开展工艺和实验研究...

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