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中国科学院大连化学物理研究所专利：一种超滤膜表面改性方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 超滤膜 表面改性
2024/1/26
本发明涉及一种新型的聚砜超滤膜表面改性方法，用以改善分离膜的耐污染性能。采用聚砜为表面改性基膜，通过紫外引发剂或热引发剂在膜表面产生活性自由基，进而将亲水性单体接枝在膜表面，完成对聚砜超滤膜的接枝改性。本发明操作简便，有效地抑制了聚砜主链断裂的发生，并保持了超滤膜的截留性能。所制得的超滤膜亲水性明显改善，抗污染能力显著提高。
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种表面镀有金刚石膜的第一壁材料制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种Au-Cu/Ag-A1纳米多层膜表面增强荧光基底及其应用
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 Au-Cu Ag-A1 纳米多层膜 表面增强 荧光基底
2023/12/26
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种Au-Cu/Ag-A1纳米多层膜表面增强荧光基底及其应用
中国科学院金属研究所专利：一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置及方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面沉积 薄膜
2023/10/18
本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置及方法,一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题,实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与...
中国科学院金属研究所专利：一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面沉积薄膜
2023/9/28
本实用新型涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置,一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题,实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶...
本发明属于薄膜制备领域,具体地说是一种在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法,解决了在纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的问题。该装置由两组四面矩形或正方形非平衡态磁控靶材和两个相同的带孔遮蔽板组成的真空封闭长方体或立方体连接两个张力可控的卷绕工件转架于内的真空腔体组成。非平衡态磁控溅射靶由中频脉冲/直流电源驱动,并在封闭的长方体或立方体内产生高密度等离子体,连续纤维丝/条带...
拓扑绝缘体由于具有受时间反演保护的拓扑表面态而展现出许多新奇特性，例如量子自旋霍尔效应、磁掺杂时的量子反常霍尔效应以及在拓扑/铁磁异质结中的非局域磁阻尼贡献等。这种拓扑表面态通常寄宿在样品表面约几个纳米左右的深度中，因此具有较大表面占比的超薄膜是放大这些新奇特性的理想体系。然而，随着厚度的减薄，薄膜上、下表面中的表面态会在空间上产生重合并相互耦合。以往理论工作计算了典型的狄拉克拓扑材料Bi2Se3...
中国科学院金属研究所专利：用等离子体增强化学气相沉积在长管内表面沉积薄膜方法
中国科学院金属研究所专利：一种在镁合金微弧氧化膜表面制备复合镀镍层的方法
本发明公开了一种在α-Al2O3陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法：先后以3-氨丙基三乙氧基硅烷和4-醛基苯硼酸对α-Al2O3陶瓷表面进行化学接枝改性，然后采用微波合成技术在其表面原位生长共价有机框架薄膜COF-5。本发明所述的制备方法简单易行、可设计性强、廉价易得、可选择基材范围广、适用于生长不同类型的共价有机框架薄膜。在气体分离纯化、化学反应催化、光电薄膜器件等领域有广泛的应用前景。
中国科学院金属研究所专利：一种铝合金表面单层微弧氧化陶瓷膜的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 铝合金 表面单层 微弧氧化陶瓷膜
2023/8/18
中国科学院金属研究所专利：一种铝合金表面单层微弧氧化陶瓷膜的制备方法
中国科学院化学研究所专利：表面具有水下亲油性质的油水分离锥形针阵列的膜及其制备方法和用途
中国科学院微电子研究所专利：一种利用反射光谱测量单晶硅基太阳能表面薄膜的方法及系统
中国科学院微电子研究所专利：一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法
中国科学院理化技术研究所专利：在玻璃表面形成金属复合二氧化钛纳米粒子膜的方法