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本期云讲堂邀请黎大兵、龙世兵、孙钱、蒋科围绕“宽禁带半导体光电材料与器件”展开分享。本次活动由中国电子学会学术交流中心、电子材料分会和《电子学报/CJE》编辑部联合承办。
光子晶体引入缺陷后形成的缺陷模在增益介质中将被放大形成激光,为了进一步明确缺陷的激光特性,首先从理论上分析了光子晶体的特征矩阵,接着得出了以下光子禁带特性:光带隙宽度随着周期数的增加而增大,但在周期数达到一定数值后其光带隙宽度是确定不变的;折射率比值越大,光带隙宽度越大;叠加不同中心波长的光子晶体可以简单、有效地拓展光带隙范围。在一维KTP光子晶体的禁带特性实验分析中得到了KTP缺陷的光子能带结构...
介电限域效应对PbSe量子点禁带宽度计算的影响研究
介电限域效应 硒化铅 禁带宽度
2012/1/5
考虑了PbSe量子点介电限域效应对激子的影响，引入了修正因子，提出了一种新的量子点禁带宽度的计算模型．与实验数据比较，两者具有良好的一致性．尤其是在小尺寸量子点的情况下，修正后的模型与实验值表现出更好的一致性．通过调整受限势垒的大小，分析不同溶剂条件下PbSe禁带宽度的计算模型，说明采用的修正模型对溶剂的变化是不敏感的，与实验的结论是一致的.
一维光子晶体结构参数对禁带带隙的影响研究
平面波法 光子禁带 带隙宽度 最小二乘曲线和曲面拟合
2008/7/7
采用平面波法(PWM)计算一维光子晶体的带隙结构。分别就构造一维光子晶体结构的高低折射膜层的介电常数及填充比(高折射膜层的厚度与晶体周期长度的比值)对禁带带隙宽度的影响作出分析。通过最小二乘曲线和曲面拟合得到带宽与介电常数或带宽与填充比的函数关系图，以确定最佳的禁带带宽，从而设计一维光子晶体的周期结构。对高低折射膜层为GaAs/空气组成的一维光子晶体，介电常数比约为13/1，当填充比为0.16时，...
介质中传播方向相反的2束激光干涉可形成具有一维周期结构的体积全息图,而这种全息图可以看作一维光子晶体,称为一维激光全息图光子晶体，用特征矩阵法研究了一维激光全息图光子晶体的透射谱中的禁带随入射角、记录波长、介质折射率、折射率调制度的变化规律。结果表明：当入射角变大，激光波长、介质折射率及介质折射率调制度变小时, 禁带的位置向短波方向移动, 禁带宽度减小。
宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破
氮化物面发射激光器 重大突破
2008/6/5
863计划新材料领域“蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器”课题近日取得重大突破，在我国（除台湾地区外）首次实现了室温光泵条件下氮化物面发射激光器（VCSEL）的受激发射，所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。这标志着我国氮化物面发射激光器研究已进入世界先进行列。
该成果由厦门大学、中国科学院半导体研究所和厦门三安电子有限公司组成的合作研究团队，经过将近一年的艰苦研...