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搜索结果: 1-2 共查到工程与技术科学基础学科 石墨基底相关记录2条 . 查询时间(0.063 秒)
本发明涉及一种石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法,该方法中烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁,将其溶解在有机溶剂甲苯中,配制成溶液,然后将溶液滴加到干净的高定向裂解石墨基底上,温度25℃-55℃下溶剂挥发后得到生长在石墨表面上的含两种晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜;而通过控制溶剂挥发温度60℃、或室温25℃下溶剂挥发后再通过温度75℃-80℃退火处理,可控制得到具有单一晶型结构的八辛...
本发明涉及一种在石墨基底上构筑金属有机框架薄膜的方法,该方法首先采用在石墨基底上由4,4’?二十四基?2,2’?联吡啶通过分子自组装法得到晶型结构Ⅰ的自组装膜,然后,分别采用醋酸锌和醋酸铜溶液,用原位滴加的方法得到晶型结构Ⅱ和晶型结构Ⅲ的金属有机框架薄膜,所用的4,4’?二十四基?2,2’?联吡啶溶液的浓度低;所用的高定向裂解石墨是由石墨烯层堆叠的,表面平整,用透明胶带按在表面剥离即可得到干净的石...

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