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工程与技术科学基础学科 烷氧基
”
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中国科学院新疆理化技术研究所专利:石墨基底上生长不同结构
烷氧基
铜酞菁单分子薄膜的方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
石墨基底
不同结构
烷氧基
铜酞菁
单分子薄膜
2024/1/12
本发明涉及一种石墨基底上生长不同结构
烷氧基
铜酞菁单分子薄膜的方法,该方法中
烷氧基
铜酞菁为八辛
氧基
铜酞菁,将其溶解在有机溶剂甲苯中,配制成溶液,然后将溶液滴加到干净的高定向裂解石墨基底上,温度25℃-55℃下溶剂挥发后得到生长在石墨表面上的含两种晶型结构的八辛
氧基
铜酞菁单分子薄膜;而通过控制溶剂挥发温度60℃、或室温25℃下溶剂挥发后再通过温度75℃-80℃退火处理,可控制得到具有单一晶型结构的八辛...
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