搜索结果: 1-15 共查到“雪崩”相关记录52条 . 查询时间(0.072 秒)
IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分...
奥地利科研人员发布“量子雪崩”研究进展
奥地利 量子雪崩 翻转自旋系统
2024/1/15
新疆生地所在中国西天山山区雪崩的遥感识别及风险评估研究中取得进展(图)
遥感识别 风险评估 雪崩灾害
2023/8/15
我国西北高寒山区逐步成为国家安全战略的关键区域,同时也是“一带一路”倡议下开展国际互联互通和边境合作的重要区域。然而,气候变暖导致的山区积雪特性快速变化,加剧了雪崩灾害风险的潜在性。例如:2023年1月,西藏林芝市派镇至墨脱公路发生雪崩,导致28人遇难;2022年2月,7名印度军方人员在中印边界巡逻遭遇雪崩全部失踪;2019年2月11日,天山果子沟突发雪崩,导致道路堵塞,车辆滞留两百余辆。雪崩灾害...
新疆生地所在天山山区降雪诱发雪崩预警模型研究中取得进展(图)
雪崩预警 敏感度分析法 观测 评估
2023/8/15
高寒山区雪崩非常活跃,严重威胁着山区公路交通安全。降雪诱发的雪崩是自然界中最为常见的雪崩,也是对公路等基础建设和居民区破坏最为严重的雪崩灾害。降雪诱发雪崩的预警系统开发可提高道路管理水平,降低雪崩风险。然而,目前尚未针对天山大陆性雪气候区降雪引发雪崩的适用性预警模型进行开发与应用。
近日,浙江大学光电科学与工程学院/现代光学仪器国家重点实验室戴道锌教授团队设计了一种可采用标准流片工艺制备的锗硅雪崩光电探测器,所研制APD性能优越,实现了高达615GHz的创纪录增益带宽积GBP,并成功演示了其100 Gbps NRZ和PAM-4高速信号接收,为下一代高速硅光集成的光接收奠定了核心光器件基础,具有重要应用前景。
基于硅基光子的雪崩光电探测器
雪崩光电探测器 硅基光电子技术 光电转换
2022/3/7
《科技日报》|降服电力系统“数据雪崩” “伏羲”芯片带来中国方案
主控芯片 电网 “伏羲”芯片
2022/3/11
主控芯片作为电力二次设备核心元器件是电力工业控制的大脑,涉及千万量级的电网关键装置。可是,我国电网关键设备继电保护核心芯片大多以进口为主。“部分进口关键芯片在国内市场占有率近90%,若被禁运,将会对国内继电保护领域产生重大影响。”南方电网数字电网研究院有限公司(以下简称南网数研院)总经理李鹏说。为突破此技术困境,李鹏和团队历经8年,研发出我国首款基于国产指令集、内核、自主硬件IP的全面国产电力专用...
研究首次证明可在二维垂直异质结中实现弹道雪崩(图)
二维垂直异质结 弹道雪崩 半导体物理
2019/1/25
弹道原本是量子物理的概念,而雪崩是半导体物理中的基本现象,两者貌似无关。但南京大学电子科学与工程学院教授王肖沐/施毅课题组与该校物理学院教授缪峰课题组密切合作,让两者“邂逅”,首次在二维材料垂直异质结中提出和实现一种新型PN结击穿机制:弹道雪崩。
南京大学电子学院王肖沐/施毅课题组与物理学院缪峰课题组紧密合作,基础探索结合应用研究,首次在二维材料垂直异质结中提出和实现了一种新型的PN结击穿机制:弹道雪崩。这种物理机制将量子弹道输运与雪崩击穿过程相结合,利用弹道输运中电荷几乎无散射、保持相位相干的量子特性,结合纳米尺度下可控的雪崩效应,在实现载流子倍增放大的同时保持低功耗、低噪声,有望解决传统雪崩器件所遇到的瓶颈。基于实验上实现的弹道雪崩现象...
中国科学院物理研究所在固体氦中首次直接观测到位错线雪崩及声学激发效应(图)
中国科学院物理研究所 固体氦 位错线 雪崩 声学 激发效应
2018/8/22
为了深入研究在极低温条件下量子固体的塑性形变,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心固态量子信息与计算实验室特聘研究员程智刚与加拿大阿尔伯塔大学物理系教授John Beamish合作,采用叠加多层压电陶瓷单元的方法,在1.5K处制备4He固体,并在16mK对其施加最大0.4%的切向形变使其进入塑性形变区,观测到瞬时发生的应力释放现象。该应力释放过程持续时间为25μs左右,释放应力最大幅度...
2016年7月1至4日,第三届全国积雪遥感学术研讨会暨新疆天山雪崩站现场观摩会在乌鲁木齐市及新源县举行。本届研讨会由中国科学院新疆生态与地理研究所和新疆自然资源学会共同承办,这是中国从事积雪遥感理论、方法与应用研究的科研人员最为集中的盛会。
并行雪崩光电二极管阵列红外单光子探测系统
雪崩光电二极管 红外单光子探测器 后脉冲效应 并行阵列
2016/11/29
为了克服InGaAs/InP APD单光子探测器的后脉冲效应,减小APD器件的死时间,设计了一种并行APD阵列结构的红外单光子探测系统。该系统使用并行APD阵列将单光子信号转换成雪崩电信号,利用直流偏置电压电路使并行APD阵列工作于盖革模式,利用高速脉冲门控时序信号电路以及多通道光开关实现并行APD阵列的通道时序切换功能,并行APD阵列输出的雪崩电信号在经过信号探测电路的低通滤波和宽带放大处理后,...