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中国科学院大连化学物理研究所专利:一种阵列式光电发射电离源及其应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 阵列式 光电发射 电离源
2024/1/18
中国科学院物理研究所可调约瑟夫森结中多种电子态相干时间的定量研究(图)
电子态相干 量子 半导体 纳米
2024/3/16
相干性和隧穿效应在量子现象中扮演着重要角色。在隧穿事件中,粒子在势垒中所需的隧穿时间一直存在着争议。当涉及多粒子过程时,这个问题将变得更加复杂。当多粒子在势垒两侧来回隧穿时,其量子相干时间是值得研究的重要物理问题。
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种光电检测痕量二氧化氮的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 光电检测 痕量 二氧化氮
2024/1/16
中国科学院国家纳米中心在亚纳米材料普适性制备方面取得进展(图)
亚纳米材料 非线性光学 电催化 载流子动力学
2024/1/16
与材料组成和结构一样,尺寸(维度和尺度)同样可以调控材料性能。例如,2010年和2023年的诺贝尔物理和化学奖分别授予二维材料和胶体量子点方面的开创性工作,凸显了材料维度和尺度的重要性。
为解决现代计算系统中(如云计算和人工智能)的“内存墙”带宽局限、高效计算瓶颈和制造工艺尺寸微缩等问题,一种结合新型非晶态氧化铟镓锌(IGZO)薄膜材料的无电容(2T0C)DRAM结构,有望取代传统1T1C DRAM成为关键性的新兴技术路线。目前,大量研究工作集中于通过器件结构和工艺优化来提升IGZO 3D DRAM的保留时间和操作速度,但现有IGZO TFTs器件普遍存在性能均一性及阈值调控难题,...
中国科学院微电子所在阻变存储器芯片创新应用研究取得进展(图)
芯片 集成 细胞
2024/2/29
阻变存储器(RRAM)因其高速、低功耗和可扩展性而被广泛用于实现边缘计算加速器。但由于RRAM存在保持特性退化的问题,导致基于RRAM芯片上的网络推理准确率随时间的增大而降低,从而限制了基于RRAM的边缘计算加速器的运算精度。
中国科学院科学家利用合成复频波技术补偿极化激元光子器件的损耗(图)
合成复频波 光子器件 纳米光子
2024/1/12
在纳米光子系统中,极化激元是一种由入射光与材料表界面相互作用形成的特殊电磁模式,能够实现纳米尺度上光信息的传输和处理。极化激元材料是构建光电互联芯片的重要材料基础。然而,由于光学材料本身的损耗限制,极化激元光子器件在应用推广方面存在一定困难。
中国科学院深圳先进院发现超构表面慢光新原理(图)
集成 电磁辐射 耦合
2024/1/10
2024年1月6日,中国科学院深圳先进技术研究院深圳先进集成技术研究所李光元课题组,在《纳米快报》(Nano Letters)上,发表了题为Ultrahigh-Q Metasurface Transparency Band Induced by Collective-Collective Coupling的研究成果,并被选为封面文章。