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搜索结果: 1-2 共查到工程与技术科学基础学科 CdS薄膜相关记录2条 . 查询时间(0.084 秒)
采用磁控溅射法,在衬底温度300 ℃制备CdS薄膜,并选取370 ℃、380 ℃、390℃三个温度退火,获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜.通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能表明,CdS薄膜在干燥空气中退火,晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不明显,光学带隙随退火温度的升高而增大; 在CdCl2源+干燥空气中退火,随退火温度的升高发生明显的再结晶和晶...
本文研究了采用磁控溅射方法制备的CdS薄膜的工艺及光电性质,在200℃、300℃、400℃、500℃下分别进行50min的退火处理,SEM扫描发现退火处理后的CdS薄膜成膜质量更好。通过SEM测得CdS薄膜厚度为10μm,计算出CdS薄膜的溅射速率为7.5μm/h。通过探针I-V测试表明,400℃退火处理下,CdS薄膜的光电导特性最为优异,光电流与暗电流之比可达2134.8。

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