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本发明涉及一种直流磁控溅射制备非晶态La?Mn?O薄膜的方法，该方法利用直流磁控溅射以镧锰合金为靶材，将合金靶材和衬底放入磁控溅射生长室中，在真空条件下进行磁控溅射得到沉积态薄膜，将沉积态薄膜进行后退火处理，通过调控退火温度得到非晶态La?Mn?O薄膜，该方法工艺简单，效率高，形成非晶相薄膜的退火温度较低，能耗较少，制备的非晶相La?Mn?O薄膜成分均匀，具有显著的负温度系数特性，有望应用于NTC...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：用于１０*pa超高真空圆形平面磁控溅射靶的密封装置
中国科学院合肥物质科学研究院专利：超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 超高真空 磁控溅射 矩形平面 溅射靶
2023/11/22
中国科学院合肥物质科学研究院专利：超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶
中国科学院金属研究所专利：一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置
中国科学院金属研究所 专利 中频磁控 溅射法 纳米硅薄膜
2023/9/15
本实用新型涉及硅薄膜材料的制备领域,具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置。包括真空室、抽气装置,其特征在于：所述溅射真空装置内设有非平衡态向下溅射的平面孪生硅靶,孪生硅靶下方设有基片加热台,基片加热台与孪生硅靶之间设有挡板,基片加热台下方设有一串联的电磁线圈组。本实用新型采用外加电磁线圈连续调整孪生靶的非平衡度,实现了低功耗下纳米硅薄膜高速率的离子辅助沉积,薄膜晶体结构大范围可控、...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：透明导电薄膜及其制备方法;磁控溅射装置
本发明涉及一种反应磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法，通过对传统磁控溅射技术的改进，在真空室内引入一等离子体区域，采用中频脉冲直流或直流溅射溅射Ti金属靶，并控制工作气体压强、温度、时间、溅射功率等工艺条件，在衬底上沉积TiN薄膜。使用本方法可以在低温环境下性能良好的TiN薄膜，薄膜的结晶度、致密性及硬度得到提高，表面粗糙度小，薄膜与衬底有较高的结合力，很难产生局部脱落。本发明可以为硬质薄膜的实验研...
本发明涉及硅薄膜材料的制备领域,具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置。利用中频磁控溅射法,采用中频电源激发等离子体来溅射与外加电磁线圈形成耦合磁场的非平衡态孪生磁控硅靶,在基体上沉积纳米硅薄,采用真空泵组,将真空室内真空抽至10-3-10-4Pa,并对基体加热使基体温度在400-540℃之间,沉积纳米硅时采用Ar气溅射,由电离规管测量气压值,整个沉积过程中气压控制在0.2-...
采用磁控溅射法，在衬底温度300 ℃制备CdS薄膜，并选取370 ℃、380 ℃、390℃三个温度退火，获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜.通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能表明，CdS薄膜在干燥空气中退火，晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不明显，光学带隙随退火温度的升高而增大; 在CdCl2源+干燥空气中退火，随退火温度的升高发生明显的再结晶和晶...