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本发明公开了一种超薄芯片型热敏电阻的制备方法。该方法首先采用流延法制备超薄热敏陶瓷片；继而采用丝网印刷法对陶瓷片进行电极涂覆；接着利用划片机对所得热敏陶瓷芯片进行切割，并在电极表面焊接引线；最后对元件进行超薄绝缘封装。本发明实现了超薄芯片型热敏电阻的制备，该技术具有机械化程度高、工艺简单、成本低廉、普适性强等特点，因此适用于制备各种超薄芯片型电子元器件，具有很大的应用前景。
本发明涉及一种P型负温度系数陶瓷材料的欧姆接触电极的制备方法。该方法使用直流磁控溅射技术，选用现有的四元系钴锰铁锌P型负温度系数陶瓷材料为陶瓷基体，先在陶瓷基体表面蒸镀第一层35nm‑1200nm Pd或Ni作为过渡层，之后再蒸镀一层400nm的Ag作为焊接层，然后在温度400℃‑800℃快速退火，得到具有良好欧姆接触的电极。经检测结果表明，该电极具有良好的欧姆接触、牢固的...
本发明涉及一种铈掺杂高温钙钛矿氧化物负温度系数热敏电阻器及其制备方法，该电阻器是由碳酸钡、碳酸钙、二氧化锆、二氧化钛和二氧化铈为原料，采用固相法制备，通过改变掺杂的氧化铈的摩尔量来调节钡钙锆钛氧基热敏电阻的性能。混合研磨后煅烧得热敏电阻粉体，再二次研磨粉体经压制成型得直径10mm，厚度2mm的圆片，再冷等静压300MPa，180s。在1375°C的最佳温度下烧结5小时，以备后续电性能测试分析。陶瓷...
本发明涉及一种有序缺氧型钙钛矿层状结构热敏陶瓷材料及制备方法，该材料是采用三氧化二钇，三氧化二钐，碳酸钡，四氧化三钴经混合球磨、预烧、研磨、等静压成型、高温烧结，即得到有序缺氧型钙钛矿层状Y‑Sm‑Ba‑Co‑O材料体系，并进行了电阻测试，结果表明：其电阻率ρ60K=3×105‑8×105Ω·cm，其材料常数B40/180=688R...
中国科学院金属研究所专利：一种溶剂型纳米二氧化硅浓缩浆及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 溶剂型 纳米二氧化硅 浓缩浆
2023/9/27
本发明涉及纳米技术,具体为一种溶剂型纳米二氧化硅浓缩浆及其制备方法。按质量百分比计,该浓缩浆由氟硅烷改性纳米SiO210％～30％、分散剂20％～50％和余量的溶剂组成。首先将溶解在氟硅烷偶联剂、水和异丙醇的混合溶液中,然后在微酸性条件下加热搅拌,烘干后研磨成氟硅烷改性纳米SiO2粉；氟硅烷改性纳米SiO2粉与分散剂按质量比1∶0.2～2混合后,在800rpm～2000rpm转速下分散,确认完全溶...
本发明提供了一种碳酸根型纳米水滑石的制备方法。本发明采用共沉淀法，将混合金属盐溶液和含有碳酸根的混合碱溶液经换热后连续地通入微通道反应器，一定温度下在微通道反应器中进行沉淀反应制备得到水滑石前驱体，再将前驱体浆料经后续老化或水热处理，并洗涤干燥得到碳酸根型水滑石产品。本发明工艺流程简洁，所制备的产品粒径可控、粒径分布窄，并且该技术所涉及的微反应系统可快速实现本发明产品的工业化生产。
本发明涉及一种环保型无铬离子的水性磷酸盐基渗铝硅料浆,属于料浆法渗铝硅涂层技术领域,所述渗铝硅料浆包含液相和固相粉末两个组分并分开包装,使用时将液相与固相粉末按比例1ml：0.25~2g混合均匀形成料浆,该料浆在10小时内通过喷涂、刷涂或蘸涂沉积于工件表面均有效,经后续加热固化和高温扩散工艺获得渗铝硅涂层。液相组分为近中性的无色透明不含铬离子的磷酸盐溶液,该溶液也可加入硅溶胶作进一步改性；固相组分...
中国科学院金属研究所专利：一种可调节热膨胀系数的硅基陶瓷型芯的制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种防粘锡液态金属冷却定向凝固用陶瓷型壳的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 防粘锡 液态金属 冷却定向 凝固用 陶瓷型壳
2023/8/14
中国科学院金属研究所专利：一种防粘锡液态金属冷却定向凝固用陶瓷型壳的制备方法
中国科学院地球化学研究所专利：赤泥-粉煤灰聚合型无机胶凝材料及其制备方法和应用
中国科学院理化技术研究所专利：水相一步合成锐钛矿型晶化二氧化钛纳米核壳和空壳结构材料的方法
中国科学院福建物质结构研究所专利：p型氧化锌材料的制备方法