搜索结果: 286-300 共查到“知识库 无机非金属材料”相关记录811条 . 查询时间(6.007 秒)
衬底温度对钇稳定氧化锆薄膜择优生长的影响
无机非金属材料 YSZ薄膜 PLD沉积
2009/3/2
使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)薄膜,
用XRD分析薄膜的结晶取向, SEM和AFM观测薄膜表面形貌,
研究了在200--650℃的不同衬底温度下薄膜的择优生长. 结果表明:
衬底温度较低的YSZ薄膜为非晶组织, 衬底温度为300--500℃时YSZ晶粒以表面能低的
(111)面首先择优生长, 衬底温度超过550℃后晶粒活化能提高而使表面能较...
单分散球形硫化镉膜的电化学沉积
无机非金属材料 硫化镉/球型 电沉积
2009/3/2
提出一种在ITO玻璃上电化学沉积制备单分散近球形硫化镉粒子的新方法.在S-CdCl_2-DMSO电沉积体系中加入少量的水制备出单分散膜层,调节沉积电流,电沉积时间或Cd~(2+)浓度可以改变膜层的粒子分布密度.结果表明,在电沉积的整个ITO玻璃表面上均分布有硫化镉沉积,且不同厚度膜层上的沉积其S与Cd的原子比不同.在电沉积硫化镉膜层上蒸镀铜酞菁制备出p-n异质结,其Ⅰ-Ⅴ特性表明,单分散近球形硫化...
利用XRD(包括sin2 φ法)研究了电子辅助热灯丝化学气相沉积法(EA--HFCVD)生长的自支撑硼掺杂多晶金刚石薄膜的残余应力和微观应力. 结果表明, 薄膜的残余应力为压应力, 随着薄膜制备过程中硼流量的增加, 应力值有减小的趋势. 薄膜的微观应力随着硼流量的增加, 由拉应力转变为压应力然后又转变为拉应力. 残余应力和微观应力的变化归因于一定量的硼掺杂导致的多晶膜中晶粒尺寸、晶面取向及孪晶变化...
多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的阻温特性
多孔硅 氧化钒 热敏电阻
2009/2/23
用电化学腐蚀法制备了具有不同导热系数的多孔硅样品(孔隙率为80%±2、厚度为110 μm时,导热系数可降低至0.20 W/m·K),并在其表面沉积了氧化钒热敏薄膜,研究了多孔硅样品的热绝缘性能对氧化钒热敏薄膜阻温特性的影响.结果表明:多孔硅良好的热绝缘性使在其表面制备的氧化钒热敏薄膜电阻的灵敏度远高于在硅基底上制备的热敏电阻的(多孔硅和硅片上的氧化钒薄膜电阻随功率变化斜率分别为120 kΩ/μW和...
负热膨胀ZrW_2O_8薄膜的制备和性能
无机非金属材料 钨酸锆 薄膜
2009/2/20
用交替射频磁控溅射法在石英基片上沉积并退火制备了ZrW_2O_8薄膜,测量了薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度,研究了薄膜的负热膨胀特性.结果表明:用磁控溅射方法制备的薄膜为非晶态,表面平滑、呈颗粒状,在1200℃热处理3 min后得到立方相ZrW_2O_8薄膜,结晶薄膜的颗粒长大,薄膜与基片之间有良好的结合力.立方相ZrW_2O_8薄膜在15-200℃热膨胀系数为-24.81×10~(-6)K~(...
高温绝热毡有效热导率的理论分析与实验研究
高温绝热毡 有效热导率 高真空平板型石墨
2009/2/19
建立了高温绝热毡有效热导率的数值计算模型,分析了温度和压力对传热机制的影响.用高真空平板型石墨加热炉测量了纤维绝热毡平均温度高达860℃时的有效热导率,实验结果与理论计算吻合得很好.结果表明,当温度较低(＜400℃)时,高温隔热毡的固体传导在总体传热中占主导地位;当温度较高时(＞700℃),无论环境压力高低,辐射都成为材料内部主导的传热方式;当环境压力小于200 Pa时,可忽略气体传导的影响.
用短相干光源测量平行平板玻璃的光学均匀性
光学精密测量 光学均匀性 短相干光
2009/2/18
为了解决传统干涉绝对测量法不能测量前后表面平行度很好的光学玻璃和晶体均匀性问题，提出了在以短相干光为光源的泰曼-格林干涉仪上，通过调整参考光路的光程，使被测样品的前后表面分别处在零光程差位置，这样从样品两面反射回来的光就不会同时满足和参考光相干涉的条件，从而解决了前后面的反射光干涉混叠问题.用虚光栅移相莫尔条纹法处理采集到的干涉图，得到位相数据，代入绝对测量法的计算公式，得出待测样品的折射率分布....
硫酸盐对KDP晶体质量的影响
KDP晶体 硫酸根 掺杂
2009/2/16
利用“点籽晶”快速生长技术生长了掺杂硫酸钾（K2SO4）的磷酸二氢钾（KDP）晶体，并对硫酸根类杂质离子对晶体的结构及光学质量的影响进行了研究。结果表明：在掺杂相对含量为50×10-6条件下，K2SO4开始对KDP晶体产生一定影响，主要表现在不同扇形区域的结构略有改变，其原因主要在于硫酸根与KDP晶体各扇形结构有关；杂质粒子对晶体透过率、单轴性没有明显影响，但是热膨胀系数增大，光损伤阈值略有降低。...
溶胶凝胶法制备PMMA/SiO2杂化材料
溶胶凝胶 杂化材料 聚甲基丙烯酸甲酯
2009/2/12
针对目前PMMA/SiO2杂化材料制备过程中容易出现的相分离问题，采用原位聚合和同步溶胶凝胶过程制备了聚合物链段与无机组分间有化学键作用的PMMA/SiO2杂化材料，并应用透射电子显微镜、红外光谱分析仪、X射线衍射分析仪、热失重分析仪等对不同SiO2含量的PMMA/SiO2杂化材料的形貌及结构进行了研究。结果表明：SiO2含量在20%～60%间的PMMA/SiO2杂化体系没有明显的相分离现象，Si...
石英玻璃中导带电子的光吸收
导带电子 单光子吸收 双光子吸收
2009/2/12
分别用二阶和三阶微扰理论计算了193nm、355nm激光照射下石英玻璃中导带电子的单光子吸收速率和双光子吸收速率。结果表明，电子空穴散射参与的单光子吸收和声学声子参与的双光子吸收都是材料中导带电子吸收激光能量的重要过程。
混晶结构纳米TiO2粉的光催化活性
无机非金属材料 TiO2 光催化
2009/2/12
以钛酸四丁酯为钛源制备混晶结构纳米TiO2粉,研究了纳米TiO2的光催化活性与颗粒晶相结构之间的关系.结果表明,当金红石相的质量分数少于18.53%,光催化活性随着金红石相的增多而降低;当金红石相的质量分数为18.53%～28.2%时,随着金红石相的增多,光催化活性逐渐增强,在28.2%附近具有最高的光催化活性,与纯锐钛矿结构纳米TiO2粉的光催化活性相当;金红石相含量继续增加,则光催化活性逐渐降...
从渗硼工艺浅谈固体渗硼成本的降低
渗硼层 活化剂 成本 催化剂
2009/2/11
硼化物层具有很多优良的特性，但固体渗硼技术还远未达到渗碳、渗氮、碳氮共渗等技术在工业上的普遍应用，工艺成本过高是造成这一现象的原因之一。结合固体渗硼化学反应过程对渗硼工艺进行研究，分别从活化剂置底、渗硼剂选择、活化剂分解速度控制以及加入催渗剂等方面，分析得出几种节约渗硼成本的方法。
二硼化钛基陶瓷涂层的制备研究进展
TiB2基涂层 制备技术 应用
2009/2/11
TiB<>sub2是具有高熔点、高耐磨、高耐腐蚀以及优异抗氧化等性能的陶瓷材料。详述了国内外TiB2 基陶瓷涂层的制备工艺，着重介绍了有关国内外热喷涂法和SHS 法制备含陶瓷相涂层的情况，并指出了不同工艺的优缺点。最后阐述了涂层的成功应用情况及未来的涂层制备的发展趋势。
放电等离子体烧结（SPS）技术及其在材料制备中的应用
放电等离子烧结 特点 应用
2009/2/11
放电等离子烧结是一种新型的材料制备技术，详细地介绍了放电等离子烧结技术(SPS)原理、特点及在材料制备中的应，并对SPS技术发展的前景进行了展望。