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中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究方向光电子器件工艺与检测平台技术
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 研究方向 光电子器件工艺与检测平台技术 光电子器件 工艺与检测
2022/10/4
中国科学院半导体所国家工程中心所属半导体所元器件检测中心，是半导体所可靠性检测平台，先后为大功率激光器、激光探测与制导等产品和项目提供湿热和温度冲击、离心等适应能力和结构可靠性方面的检测服务，为国家工程中心各项目的顺利实施提供了保障。
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心探究并掌握了集成芯片结构设计、制备工艺和高效封装及模块化技术，成功研制出以窄线宽半导体激光器、大功率低噪声光放大器、宽带高饱和功率探测器为代表的十余款高性能光电子集成器件产品。相关研究成果成功应用于“实践十三号卫星”、“北斗三代导航星间激光链路”、“高分多模卫星”和“片上雷达”等十余项国家级重要型号和重点任务，为国家相关重大工程的顺利实施提供了自主可...
分子束外延GaAs/AlGaAs高速器件与光电子器件材料
分子束外延 高速器件 光电子器件
2008/9/23
分子束外延（MBE）技术是研制超薄层微结构材料的主要技术手段之一。该成果在改进和完善国产MBE设备的同时，研制成功了高质量的GaAs/AlGaAsHEM材料、量子阱激光器材料和SEED材料。已用上述高速器件材料制作出11级和25级HEMT环形振荡器，其门延迟时间达32ps/门（77K）；研制生长的量子阱激光器材料实现了阈值低、波长可调的激光器，材料的阈电流密度已达94/cm^2；研制生长的自电光效...
高效率垂直腔面发射光电子器件的设计与研究
垂直腔面 光电子器件
2008/9/23
本项目研究并设计出面发射微腔光电子器件，结合半导体微腔激光器和激光半宽，计算了自发发射因子，指出增进自发发射因子器件的结构；提出通过微腔缩短自发发射寿命，提高响应速率，设计了10GHz调制带宽的半导体面发射激光器，同时考虑p区和n区的导电情况，研究质子轰击垂直腔面发射激光器的特性，完成了处理三维空间电场方程仿真，为开发相应软件打下基础。本成果不但是理论的突破，更重要的是为实现高速响应器件提供了新的...