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铌酸锂材料具有优异的电光、声光和光学非线性效应,素有光电子时代“光学硅”的称号。近年来,薄膜铌酸锂作为新的集成光电子材料平台受到了广泛的关注,基于该平台的光电子器件库也得到了快速的发展。相较于硅材料,铌酸锂材料的折射率较低,器件的尺寸也较大,这不仅降低了光电子芯片的集成度,还对计算资源和时间提出了更高的要求。因此,在薄膜铌酸锂平台上制作出光学微结构来降低器件尺寸、提升芯片集成度是一项非常具有吸引力...
2021年11月3日上午,2020年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重召开,中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心马骁宇研究员获得国家技术发明二等奖。马骁宇研究员带队研制的大功率半导体器件在探月等国家重点工程中发挥了重要作用,研究团队与中国科学院上海光学精密机械研究所合作项目“空间全固态激光器技术及应用”,2020年荣获国家技术发明二等奖。
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心(以下简称“工程中心”)是由国家发改委(原国家计委)根据我国光电子技术及其产业化的要求和国内外市场的需要,依托中科院半导体所组建并运行的国家级工程研究中心。旨在针对国家亟需的光电子器件开展工程化研究,为产业化提供所需的关键技术、共性技术及成套工艺。工程中心于1992年7月1日原国家计划委员会计科技函〔1992〕29号文件,批准成立,并于1996年12...
中国科学院半导体所国家工程中心所属半导体所元器件检测中心,是半导体所可靠性检测平台,先后为大功率激光器、激光探测与制导等产品和项目提供湿热和温度冲击、离心等适应能力和结构可靠性方面的检测服务,为国家工程中心各项目的顺利实施提供了保障。
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心探究并掌握了集成芯片结构设计、制备工艺和高效封装及模块化技术,成功研制出以窄线宽半导体激光器、大功率低噪声光放大器、宽带高饱和功率探测器为代表的十余款高性能光电子集成器件产品。相关研究成果成功应用于“实践十三号卫星”、“北斗三代导航星间激光链路”、“高分多模卫星”和“片上雷达”等十余项国家级重要型号和重点任务,为国家相关重大工程的顺利实施提供了自主可...
近日,中南大学物理与电子学院何军、蒋杰等人在国际顶级期刊Advance Materials杂志上发表了题为“Sub-10 nm Vertical Organic/Inorganic Hybrid Transistor for Pain-Perceptual and Sensitization-Regulated Nociceptor Emulation”的研究成果(2019,DOI: 10.100...
2019年7月27日,材料学院新材料与器件研究中心团队在《自然·通讯》(Nature Communications)上发表了关于二维光电子器件的突破性研究成果: Reconfigurable Two-Dimensional Optoelectronic Devices Enabled by Local Ferroelectric Polarization。材料学院2016级博士生吕亮为论文第一作者...
成都信息工程大学2019年硕士研究生自命题光电子器件考试大纲。
成都信息工程大学2018年硕士研究生入学考试自命题光电子器件考试大纲。
The NUSOD conference connects theory and practice in optoelectronics. Papers are solicited on the modeling, simulation, and analysis of optoelectronic devices including materials, fabrication, and app...

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