搜索结果: 1-15 共查到“光学工程 电子结构”相关记录19条 . 查询时间(0.262 秒)
自1986年铜氧化物高温超导体发现以来，理解高温超导机理和进一步提高超导转变温度一直是凝聚态物理研究中的核心问题。铜氧化物高温超导体的母体是反铁磁Mott绝缘体，高温超导电性是通过向母体掺入适量的载流子得以实现。已有的研究表明，超导转变温度TC不仅取决于铜氧面CuO2的掺杂浓度，也密切依赖于晶胞中CuO2面的层数(n)，并且在三层体系 (n=3) 中超导转变温度TC最高。此外，三层铜氧化物超导体还...
中国科学院科学家在化学无序材料电子结构预测方面取得进展（图）
化学无序材料 电子结构预测
2023/2/18
确定材料的微结构是认识和改性材料的前提。化学无序材料指晶格有序但元素成分无序的一类材料。从化学成分的角度来看，化学无序材料可分为阴离子、阳离子和缺陷对应体，可以简单地认为是阴离子、阳离子和缺陷占据了非周期位点。化学无序材料由于其独特的性质在半导体、高温超导体、金属合金、陶瓷和沸石催化剂等领域被广泛应用。研究无序材料的结构对于理解无序材料性质和指导实验具有重要价值。因为部分晶格位点的原子占据不确定性...
非线性光学（NLO）晶体作为激光变频材料，在高技术领域具有重大应用需求。探索结构与NLO性能的关系规律对高性能NLO材料的设计十分关键。本文从“功能基元”的角度研究NLO材料的构效关系。“功能基元”最早由郭国聪研究员于2001年提出 (化学进展，2001, 13, 151-155)，是指对材料功能起关键作用的微观结构单元，通过对功能基元的研究和有序组装可获得高性能材料，以缩短功能材料的研究周期。
采用第一性原理密度泛函理论研究了六角层状晶体WSe2的电子结构和各向异性光学性质.结果表明:WSe2为间接带隙半导体,带隙值为1.44eV,略小于实验值(1.51eV);价带和导带均主要由W-5d和Se-4p电子构成,在价带顶(0~2eV)及导带底(1.5~3.5eV),W-5d和Se-4p电子杂化明显,形成共价键.介电函数的虚部和实部均表现出明显的各向异性,εi(xx)有一个明显的介电吸收峰,而...
材料的电阻随外加磁场而变化的行为称为磁阻（MR）效应。自从磁阻效应被发现以来，磁阻材料已被广泛应用于信息存储、传感器等诸多领域。磁性多层薄膜中巨磁阻（GMR）效应的发现，使得磁存储技术产生了质的飞跃。随着器件向更高集成度、更小型化、更高能效的趋势发展，寻找新型的巨磁阻材料一直是凝聚态物理和材料科学的重要研究方向之一。近十年来，随着人们对拓扑材料广泛而深入的研究，许多非磁性半金属材料被发现具有非常大...
掺杂Mott绝缘体的电子结构演变研究取得重要进展（图）
掺杂Mott 绝缘体 电子结构演变
2021/3/10
中国科学院物理研究所／北京凝聚态物理国家研究中心超导国家重点实验室周兴江研究组博士胡成等，与极端条件物理重点实验室靳常青研究组的博士赵建发以及凝聚态理论与材料计算重点实验室的向涛院士合作，利用高分辨角分辨光电子能谱技术，对新型铜氧化物母体Ca3Cu2O4Cl2的电子结构及其掺杂演变进行了系统的研究，取得了重要进展，为掺杂Mott绝缘体的电子结构演变和铜氧化物高温超导体的微观理论研究提供了重要信息。
低对称层状ReS2的电子结构和各向异性光学性质研究
ReS2 电子结构 各向异性 光学性质
2022/3/28
采用第一性原理赝势平面波方法计算了三斜晶系低对称层状半导体二硫化铼（ReS2）的晶体结构、电子结构及光学性质。结果表明：扭曲的1T结构为ReS2的稳定结构，Re原子与其周围的S原子形成六配位的近似八面体结构，Re-S键长最大偏差为8.3%，Re-S键布局数最大偏差为40.5%，表明ReS2结构的低对称性；ReS2为直接带隙半导体，费米面附近的价带和导带主要由Re的5d及S的3p轨道电子构成，其中R...
中国科学院超导电子学卓越创新中心、上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究员沈大伟与副研究员刘中灏课题组，与中国人民大学教授王善才、雷和畅、刘凯团队以及德国莱布尼茨固体物理材料研究所（IFW—Dresden）教授Sergey Borisenko研究小组成员进行合作，利用高分辨角分辨光电子能谱实验技术与第一性原理计算对高质量TiB2 单晶样品的低能电子结构进行了研究，首次证实了拓扑半...
近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员钟志诚团队和荷兰特文特大学博士廖昭亮合作，提出了一种新型的磁控电子结构效应：通过外磁场调控磁化方向，借助自旋轨道耦合，实现电子能带结构的巨大改变。理论预测该效应中外磁场对电子能带结构的能量调控可以高达，比经典的塞曼效应大了3个数量级，高于室温下的热涨落，可用于设计新型的磁电、磁光器件。
近日，中国科学院超导电子学卓越创新中心、上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究员沈大伟团队和浙江大学物理系研究员郑毅课题组合作，利用超高分辨角分辨光电子能谱和极低温量子输运测量两种互补技术，首次实现了对目前保持着热电优值最高纪录的热电材料SnSe的精细电子结构表征，并成功利用“缺陷工程”实现了对该材料电子结构和热电性能的有效调控，为进一步利用能带工程合成和改进高效能热电材料提供了...
北京师范大学化学学院吴立明课题组在Accounts of Chemical Research杂志发表长篇综述介绍该课题组在“晶体结构–电子结构–热电性能”方面的研究工作（图）
北京师范大学化学学院 吴立明课题组 晶体结构 电子结构 热电性能
2018/1/23
热电材料可以直接将电能和热能进行相互转化，有望作为缓解能源短缺和环境污染问题提供有益的途径。受材料热稳定性等因素限制，不同热电材料适用于不同工作温区。大多数废热源处于中温区，因此中温热电材料具有广泛的用途。化学学院吴立明课题组基于电热输运性质微观机制的研究，系统开展新颖热电材料的理论与实验设计研究。近年来他们在对中温N型热电材料In4Se3体系详细理论研究及结构化学分析的基础上，发现利用In4Se...
β-PTCDA的电子结构和光学性质的第一性原理计算
能带结构 态密度 光学性质 密度泛函理论 β-PTCDA分子晶体
2016/11/22
基于密度泛函理论,采用第一性原理赝势平面波方法研究了β-PTCDA分子晶体的能带结构、分波态密度和光学性质,通过分析不同种类原子的不同电子态在不同电子能级中的贡献,获得β-PTCDA分子晶体的光频介电常数、光吸收系数、折射率和能量损失函数等随光频的变化规律.结果表明:β-PTCDA作为一种直接带隙的窄带隙有机半导体,对费米能级贡献较大的电子轨道为苝核的C 2p以及O 2p电子态,即价带顶;对导带底...
CuInS2晶体结构预测及电子结构性质
CuInS2晶体 结构预测 电子结构 化学键
2015/12/26
利用基于多目标粒子群优化算法的卡里普索(CALYPSO)软件预测了CuInS2晶体在常压下的结构。结果表明CuInS2晶体在常压下为四方晶系,空间群为I-42 d。计算了CuInS2晶体的弹性常数矩阵,得到的弹性常数满足了晶体的机械稳定型条件。通过弹性常数计算了体模量,杨氏模量和剪切模量。最后,分别用杂化泛函方法计算了CuInS2的能带结构和投影态密度,结果显示CuInS2晶体为直接带隙半导体,带...
GaN结构相变、电子结构和光学性质
氮化镓 相变 电子结构 光学性质
2013/3/22
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法,对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究,分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.通过状态方程和焓相等原理得到GaN从纤锌矿到氯化钠结构的相变压强分别为43.9 Gpa和46.0 Gpa;在相变的过程中,GaN由典型的直接带隙半导体转变为间接带隙半导体材料;氯化钠结构GaN相比于纤锌矿结构,介电函数主峰值增...