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搜索结果: 1-10 共查到知识库 光学工程 电子结构相关记录10条 . 查询时间(0.764 秒)
采用第一性原理密度泛函理论研究了六角层状晶体WSe2的电子结构和各向异性光学性质.结果表明:WSe2为间接带隙半导体,带隙值为1.44eV,略小于实验值(1.51eV);价带和导带均主要由W-5d和Se-4p电子构成,在价带顶(0~2eV)及导带底(1.5~3.5eV),W-5d和Se-4p电子杂化明显,形成共价键.介电函数的虚部和实部均表现出明显的各向异性,εi(xx)有一个明显的介电吸收峰,而...
采用第一性原理赝势平面波方法计算了三斜晶系低对称层状半导体二硫化铼(ReS2)的晶体结构电子结构及光学性质。结果表明:扭曲的1T结构为ReS2的稳定结构,Re原子与其周围的S原子形成六配位的近似八面体结构,Re-S键长最大偏差为8.3%,Re-S键布局数最大偏差为40.5%,表明ReS2结构的低对称性;ReS2为直接带隙半导体,费米面附近的价带和导带主要由Re的5d及S的3p轨道电子构成,其中R...
基于密度泛函理论,采用第一性原理赝势平面波方法研究了β-PTCDA分子晶体的能带结构、分波态密度和光学性质,通过分析不同种类原子的不同电子态在不同电子能级中的贡献,获得β-PTCDA分子晶体的光频介电常数、光吸收系数、折射率和能量损失函数等随光频的变化规律.结果表明:β-PTCDA作为一种直接带隙的窄带隙有机半导体,对费米能级贡献较大的电子轨道为苝核的C 2p以及O 2p电子态,即价带顶;对导带底...
利用基于多目标粒子群优化算法的卡里普索(CALYPSO)软件预测了CuInS2晶体在常压下的结构。结果表明CuInS2晶体在常压下为四方晶系,空间群为I-42 d。计算了CuInS2晶体的弹性常数矩阵,得到的弹性常数满足了晶体的机械稳定型条件。通过弹性常数计算了体模量,杨氏模量和剪切模量。最后,分别用杂化泛函方法计算了CuInS2的能带结构和投影态密度,结果显示CuInS2晶体为直接带隙半导体,带...
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法,对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究,分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.通过状态方程和焓相等原理得到GaN从纤锌矿到氯化钠结构的相变压强分别为43.9 Gpa和46.0 Gpa;在相变的过程中,GaN由典型的直接带隙半导体转变为间接带隙半导体材料;氯化钠结构GaN相比于纤锌矿结构,介电函数主峰值增...
采用密度泛函理论框架下的第一性原理方法计算了ZnO/GaN核壳异质结的电子结构和光学特性.计算结果表明:[10 10]和[11 20]晶面的异质结在带隙边缘价带顶和导带底的电子态密度各自主要由氮原子和锌原子贡献.以[10 10]晶面为侧面的异质结结构的介电函数虚部(ε2)的曲线具有相似的特征,都是价带的氮原子到导带锌原子的跃迁,但峰位依赖于核层数和壳层数的不同而有所偏移.相对地,以[11 20]晶...
为了研究ZnO掺Sb后电子结构和光学性质的变化,采用基于密度泛函理论对纯净ZnO和Sb掺杂ZnO两种结构进行第一性原理的计算。计算结果表明:随着Sb的掺入,体系的晶格常数变大,键长增加,体积变大,系统总能增大。能带中价带和导带数目明显变密,费米能级进入导带,体系逐渐呈金属性,带隙明显展宽。在光学性质方面,主吸收峰的左边出现了新的吸收峰,是由导带上的Zn-4s和Sb-5p轨道杂化电子跃迁所致;同时介...
  本项目采用First Principle法对skutterudite和填充skutterudite化合物的电子结构及合金化行为进行理论分析计算,研究合金元素的种类,原子尺寸电子结构对其热电性能的影响,确定Skutterudite化合物热电材料的合金化及制备工艺。将填充Skutterudite热电材料与其它高性能热电材料实行复合,根据组成材料的结构,物理性能(热膨胀率,扩散系数,电导率,热导率等...
采用基于密度泛函理论的第一性原理,对Zn1-xCoxTe基态的能量、几何结构电子结构和光学性质等进行了系统的研究.几何结构研究对晶格参量进行了优化计算,Co原子掺入ZnTe后晶格常量减小,晶格发生局部畸变;电子结构的研究表明,Co 3d电子的引入导致带隙宽度变窄;计算了Zn1-xCoxTe的光学性质,给出了其吸收系数及介电函数的实部ε1、虚部ε2. 掺Co导致吸收峰在长波区域减弱且进一步向长波方...
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对闪锌矿结构CdS和CdS∶M (M=Ti,Co)几何结构、电荷分布、能带结构电子态密度等进行了系统研究.几何结构研究对晶格参量进行了优化计算,Co和Ti原子掺入CdS后晶格常数均减小,晶格发生局部畸变.电荷密度计算表明,对于掺Co体系,近邻的S原子电荷分布变化明显,即有更多电子转移到S原子,同时次近邻Cd原子周围的电子分布也受到影响;对于Ti体系...

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