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本发明涉及一种以碳化钽包覆钽丝为催化剂用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。将此热丝催化剂用于硅薄膜的制备，催化剂表面的碳化钽层得到了很好的保持，没有观测到硅化物的生成，即表现出很好的抗老化性能，具有明显延长热丝催化剂使用寿命的潜力。本催化剂制备方法简单，条件易于控制，适用于热丝化学气相沉积制备各种晶化度的本征、掺杂及化合物硅薄膜。
本发明公开一种以离子液体为基底用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。在离子液体液面上热丝化学气相沉积制备硅薄膜，不同于传统的固体基底，液面上所合成的硅薄膜可转移，呈自支撑状态。进一步，本发明通过引入专门设计的刮刀对离子液体液面上生成的薄膜不断的刮取，可在一次实验中合成出多张厚度相近的硅纳米薄膜，有潜在的批量合成效果和实际应用价值。此外，所制备出的硅纳米薄膜采用了透析的方法去除离子液体，可实现对样品...
中国科学院金属研究所专利：一种微晶硅薄膜的沉积方法
中国科学院金属研究所 专利 微晶硅 薄膜 沉积方法
2023/10/17
本发明属于半导体材料领域,是一种微晶硅薄膜的制备方法。具体是在玻璃基板上沉积的非晶硅薄膜表面采用激光表面晶化的方法制备一薄层微晶硅层的方法。将直接沉积在玻璃板上的非晶硅薄膜,用激光加热晶化的方法使非晶硅薄膜部分转化为微晶硅；所用的激光加热晶化的方法是将非晶硅薄膜样品置于激光器的样品台上,用激光束进行照射,非晶硅薄膜吸收了激光的能量转换为自身能量,发生局部熔化再结晶,经表面晶化处理使得非晶硅转变为微...
本发明涉及一种硅薄膜/有机叠层薄膜太阳能电池，该电池硅薄膜顶电池和有机底电池构成，且在顶电池和底电池之间有透明导电的中间层。硅薄膜顶电池主要吸收紫外与可见光，有机底电池主要吸收可见光与红外光。通过调整硅薄膜顶电池厚度，获得与有机底电池电流的匹配。
中国科学院金属研究所专利：一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置
中国科学院金属研究所 专利 中频磁控 溅射法 纳米硅薄膜
2023/9/15
本实用新型涉及硅薄膜材料的制备领域,具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置。包括真空室、抽气装置,其特征在于：所述溅射真空装置内设有非平衡态向下溅射的平面孪生硅靶,孪生硅靶下方设有基片加热台,基片加热台与孪生硅靶之间设有挡板,基片加热台下方设有一串联的电磁线圈组。本实用新型采用外加电磁线圈连续调整孪生靶的非平衡度,实现了低功耗下纳米硅薄膜高速率的离子辅助沉积,薄膜晶体结构大范围可控、...
本发明公开了一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法，属于硅薄膜的制备技术领域。该方法通过在化学气相沉积过程中使用热丝(HWCVD)等离子体(PECVD)，和偏压结合分解反应气体沉积硅薄膜（简称结合方法(P-HWCVD)），通过对极板间距，射频功率，偏压，硅烷和氢气浓度等参数的调节实现对硅薄膜微结构、硅薄膜制备过程以及沉积速率的调控。同时，使用结合方法可以实现比单独使用上述单一一种气体分...
本发明涉及硅薄膜材料的制备领域,具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置。利用中频磁控溅射法,采用中频电源激发等离子体来溅射与外加电磁线圈形成耦合磁场的非平衡态孪生磁控硅靶,在基体上沉积纳米硅薄,采用真空泵组,将真空室内真空抽至10-3-10-4Pa,并对基体加热使基体温度在400-540℃之间,沉积纳米硅时采用Ar气溅射,由电离规管测量气压值,整个沉积过程中气压控制在0.2-...
近期，兰州大学物理科学与技术学院田永辉教授课题组与澳大利亚皇家墨尔本理工大学（RMIT）Arnan Mitchell教授课题组及上海交通大学苏翼凯教授课题组合作，在薄膜铌酸锂晶圆的表面沉积一层氮化硅薄膜，通过成熟的CMOS兼容工艺刻蚀氮化硅层可以得到氮化硅-铌酸锂异质脊型波导，解决了直接刻蚀铌酸锂薄膜带来的波导侧壁角度等问题，并基于该波导实现了高性能的模式和偏振复用器件。相关结果以“Mode an...
瑞士科学家开发一种可制造人造肌肉的超薄硅薄膜新材料
瑞士科学家 制造人造肌肉 超薄硅薄膜新材料
2016/7/6
受电场作用可伸缩的人工材料，即所谓电活性高聚物，可将电能转化为机械能。硅薄膜材料是其中一个主要品种，具有广泛的应用前景，其重要的应用领域之一是用于制造人造肌肉。目前的硅薄膜材料厚度在微米级别，需要的工作电压为几百伏特，这对于人造肌肉的工作条件来说要求太高。如果硅薄膜厚度能控制在纳米级别，则工作电压可大大降低，但能产生的推动力则很小，需要将数千层薄膜叠加在一起使用，才能产生足够的动力，现有的生产工艺...
采用磁控溅射方法, 以泡沫镍为导电基底, 制备锂离子电池三维网状结构硅薄膜负极材料, 并研究其电化学性能. 结果显示, 当硅薄膜的厚度为200 nm时, 三维网状结构硅薄膜负极材料表现出良好的循环性能和倍率性能, 以800 mA/g的电流充放电时, 首次放电容量高达4060 mAh/g, 循环300周后容量保持在1704 mAh/g; 充放电电流为4200 mA/g(1 C)时, 首次放电容量为2...
日本制造出一个原子厚的硅薄膜
硅薄膜 silicene 原子厚 半导体
2012/6/6
日本北陆尖端科学技术大学院大学日前宣布，其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜“silicene”的技术。这种只有一个原子厚的薄膜，可具备半导体的性质，有望用于制造高速电子线路等。