搜索结果: 91-105 共查到“无机非金属材料”相关记录2601条 . 查询时间(0.608 秒)
本发明涉及一种硫锡锌钠和硫锡锌钠中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的化学式为Na2ZnSn2S6，分子量541.09，为晶体颗粒。该晶体的化学式为Na2ZnSn2S6，分子量541.09，为非中心对称结构，为正交晶系，空间群为Fdd2，晶胞参数为a=12.945（3）Å，b=23.556（5）Å，c=7.2774（15）Å，α=β=γ=90°、Z=8，单...
本发明涉及一种化合物硼酸钙和硼酸钙光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为Ca2B2O5，分子量为181.78，空间群为P21/c，晶胞参数为a=3.5582(5)Å，b=6.3503(8)Å，c=19.299(3)Å，β=92.386o，V=435.70(10)Å3，Z=4，采用固相反应法合成；该化合物的硼酸钙光学晶体的化学式为Ca2B2O5，属于单斜...
本发明提供一种化合物氟硼酸铯钾和氟硼酸铯钾非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为CsKB8O12F2，分子量为488.48，采用固相合成法或真空封装法制成。该晶体的化学式为CsKB8O12F2，分子量为488.48，属于三方晶系，空间群为P321，晶胞参数为a=b=6.598 Å，c=7.652 Å，α=β=90°，γ=120°，单胞体积为288.5 Å...
本发明提供一种化合物氟硼酸铯铷和氟硼酸铯铷非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为CsRbB8O12F2，分子量为534.86，采用固相合成法或真空封装法制成。该晶体的化学式为CsRbB8O12F2，分子量为534.86，属于六方晶系，空间群为P‑62c，晶胞参数为a=b=6.5878 Å，c=7.813 Å，α=β=90°，γ=120°，单胞体积为29...
本发明涉及一种钒酸锂铷中红外非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为Rb2LiVO4，分子量292.82，为正交晶系，空间群是非中心对称空间群Cmc21，晶胞参数为a=5.836(6)Å，b=11.646(12)Å，c=7.879(8)(16)Å，α=β=γ=90°，Z=4，V=535.6(10)Å3；采用固相反应法及化合物熔体法生长晶体，本发明所述钒...
本发明涉及一种系列复合金属稀土硼酸盐和复合金属稀土硼酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途，该系列分子通式为K7MRE2B15O30，其中M=Ca，Sr，Ba；RE=Sc，Y，Lu，Gd，分子量1045.85‑1403.13，三方晶系，空间群R32，晶胞参数：a=12.9705(15)‑13.2185(18)Å，b=12.9705(15)‑13.2185...
本发明涉及水合硼酸钾和水合硼酸钾非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为K3B3O4(OH)4·2H2O，分子量为317.79，该化合物为透明的晶体，水合硼酸钾非线性光学晶体，该晶体的化学式为K3B3O4(OH)4·2H2O，分子量为317.79，属于正交晶系，属于空间群Cmc21，单胞参数为a=13.806Å，b=7.910Å，c=9.093Å，Z=4，采...
本发明涉及一种硫酸锂钠非线性光学晶体及其制备方法和用途，该晶体的分子式为LiNaSO4，分子量为125.986，属于三方晶系，空间群为P31c，晶胞参数为：a=7.600(4) Å，b=7.600(4) Å,c=9.827(10) Å，V=491.5(6) Å3。采用恒温蒸发法生长晶体。该晶体的非线性光学效应约为0.3倍KDP(KH2PO4)，光学带隙宽度为...
本发明涉及一种一水合硫酸锂非线性光学晶体及其制备方法和用途，该晶体的分子式为 Li2SO4·H2O，分子量为127.951，属于单斜晶系，空间群为P2(1)，晶胞参数为：a=5.452(4) Å，b=4.870(3) Å,c=8.172(5) Å，β=107.293（7），V=207.2(2) Å3，采用室温溶液法生长晶体。该晶体的非线性光学效应约为0.5倍...
本发明涉及一种硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法和用途。该晶体的分子式为LiKSO4，分子量为142.1，属于六方晶系，空间群为P63，晶胞参数为：a=b=5.1453(2) Å ,c=8.6342(7) Å，V=197.65 Å3。采用恒温蒸发法或降温法分别生长出大尺寸硫酸锂钾非线性光学晶体。该晶体的非线性光学效应为：Nd:YAG激光二倍频（1064‑...
本发明涉及一种大尺寸一水合碳酸钠非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体化学分子式为Na2CO3·H2O，属于正交晶系，空间群为Pca21，分子量为124.0037，单胞参数为a=10.700Å，b=5.2394Å，c=6.4574Å，Z=4，采用水溶液法，通过缓慢挥发水份，得到小尺寸晶体，选择质量较好的晶体作为籽晶，通过恒温蒸发或缓慢降温的方法即可得到具有较大尺寸的一...
本发明公开了一种超薄芯片型热敏电阻的制备方法。该方法首先采用流延法制备超薄热敏陶瓷片；继而采用丝网印刷法对陶瓷片进行电极涂覆；接着利用划片机对所得热敏陶瓷芯片进行切割，并在电极表面焊接引线；最后对元件进行超薄绝缘封装。本发明实现了超薄芯片型热敏电阻的制备，该技术具有机械化程度高、工艺简单、成本低廉、普适性强等特点，因此适用于制备各种超薄芯片型电子元器件，具有很大的应用前景。
本发明涉及一种化合物氟硼酸锶及氟硼酸锶非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为SrB5O7F3，分子量为310.67，采用固相反应法制备；该晶体的化学式为SrB5O7F3，分子量为310.67，晶体属正交晶系，空间群Ccm21，晶胞参数为a=10.016(6) Å，b=8.654(6) (4) Å，c=8.103(5) Å,Z=4，V=702.4(8) &#...
本发明涉及一种锌硅酸锶非线性光学晶体及其制备方法和用途，该晶体的化学式为Sr2ZnSi2O7，该光学晶体不具有对称中心，属四方晶系，空间群P21m ，晶胞参数为a=7.956(2)Å，b=7.956(2)Å，c=5.136(3)Å，Z=2，V=325.1(2)Å3。其粉末倍频效应约为KDP(KH2PO4)的0.8倍，采用助溶剂法生长晶体，该晶体制备方法简单，...
本发明涉及一种化合物硫硅锌锂和硫硅锌锂红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的化学式为Li2ZnSiS4，分子量为235.58，为硫硅锌锂粉末纯样；该晶体的化学式为Li2ZnSiS4，分子量为235.58，非中心对称结构单晶，晶系为正交晶系，空间群为Pna2(1)，晶胞参数a=12.892（2）Å，b=7.7739（12）Å，c=6.1451（10）Å，Z=4，...