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本发明涉及一种化合物钾硼碳氧溴氢和钾硼碳氧溴氢非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为K9[B4O5(OH)4]3(CO3)Br·7H2O，分子量为1191.61，采用水热法制备，所得产物为晶体，该晶体的分子式为K9[B4O5(OH)4]3(CO3)Br·7H2O，分子量为1191.61，属于三方晶系，空间群为P 2c，采用水热法，通过程序降温或自然降温的方法即可得到钾硼碳氧溴氢非线性光...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种锰酸镧与氧化钇双层结构的负温度系数热敏复合陶瓷材料的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 锰酸镧 氧化钇 双层结构 负温度系数 复合陶瓷材料
2024/1/4
本发明涉及一种锰酸镧与氧化钇双层结构的负温度系数热敏复合陶瓷材料的制备方法，该方法材料结构由上层结构为低阻相的锰酸镧与氧化钇的复合相和下层结构高阻相的氧化钇双层结构组成，通过以碳酸锰，氧化镧，氧化钇为原料，经过研磨、煅烧、研磨、压块成型、冷等静压成型、高温烧结，即得到锰酸镧与氧化钇双层结构的负温度系数热敏复合陶瓷材料，其材料常数B500‑800℃的范围为(9738‑1893...
本发明涉及一种含有复相添加剂的热敏陶瓷材料，该热敏陶瓷材料是以三氧化二钴、四氧化三锰和三氧化二铁为原料，通过添加复相添加剂Bi2O3‑ZnO，经混合湿法球磨、研磨、煅烧、抽真空、冷等静压成型及烧结工艺，制得含有复相添加剂Bi2O3‑ZnO的热敏陶瓷材料。通过添加剂Bi2O3的引入实现热敏陶瓷在较低温度下烧结，而通过调节复相添加剂中ZnO的含量实现对电性能的调控。该热敏陶瓷材...
本发明涉及一种P型负温度系数陶瓷材料的欧姆接触电极的制备方法。该方法使用直流磁控溅射技术，选用现有的四元系钴锰铁锌P型负温度系数陶瓷材料为陶瓷基体，先在陶瓷基体表面蒸镀第一层35nm‑1200nm Pd或Ni作为过渡层，之后再蒸镀一层400nm的Ag作为焊接层，然后在温度400℃‑800℃快速退火，得到具有良好欧姆接触的电极。经检测结果表明，该电极具有良好的欧姆接触、牢固的...
本发明提供一种化合物锡硼氧氯和锡硼氧氯非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为Sn2B5O9Cl，分子量为470.70，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化合物的化学式为Sn2B5O9Cl，分子量为470.70，属于正交晶系，空间群为Pnn2，晶胞参数为a=11.281(3)Å，b=11.331(3)Å，c=6.5573(19)Å，α=90°，β=9...
本发明涉及一种碘酸钾钠非线性光学晶体及其制备方法和用途，该晶体的化学式为K2Na(IO3)2(I3O8)，分子量为959.69，属于单斜晶系，空间群为Pc，晶胞参数为a=11.4483(6)Å，b=8.1332(5)Å，c=7.8077(4)Å；α=90°，β=90.239°，γ=90°，V=726.98(7)Å3。有较宽的透光范围，紫外透过截止边为290 ...
本发明提供一种化合物氟硼酸铅和氟硼酸铅非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为PbB5O7F3，分子量为430.24，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化合物的化学式为PbB5O7F3，分子量为430.24，属于正交晶系，空间群为Cmc21，晶胞参数为a=10.025(10)Å，b=8.764(9)Å，c=8.073(8)Å，单胞体积为709.3(1...
本发明涉及一种融盐法制备负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法，该方法以含锰、镍、铝的氧化物为原料，氯化钠和氯化钾混合盐为熔剂，在高温下发生熔融反应制备出粒径均匀，尺寸小、分散性好的粉体，然后将粉体预压成型、等静压、烧结制备出负温度系数热敏陶瓷材料。采用本发明所述方法获得的负温度系数热敏陶瓷材料，经常规方法切片、涂电极、划片、封装，制成的NTC热敏电阻产品的阻值和B值一致性较高、互换性能较好，可在中高...
本发明涉及一种硼酸钾镥非线性光学晶体及其制备方法和用途，该晶体的化学式为K3Lu2B3O9，分子量643.67，空间群为Pna21，晶胞参数为a=8.469(2) Å，b=9.347(3) Å，c=11.819(3) (4) Å，Z=4，V=935.6(5) Å3，莫氏硬度为4‑5。采用助熔剂法生长晶体，该晶体具有至少厘米级的大尺寸，该晶体具有制...
本发明提供一种化合物硼酸钾钡和硼酸钾钡双折射晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为K5Ba2[B10O17]2(BO2)，分子量为1273.19，采用固相合成法制成，该晶体的化学式为K5Ba2[B10O17]2(BO2)，分子量为1273.19，属于三斜晶系，空间群为P ，晶胞参数为a=6.7003 Å，b=11.1785 Å，c=11.2131 Å，α=101....
本发明涉及一种耐高温真空热敏电阻器封装用玻璃陶瓷材料及其制备方法，该材料充分利用玻璃陶瓷的性能优势，提升耐高温真空热敏电阻器的高温稳定性和耐热冲击性能，提高耐高温真空热敏电阻器的可靠性和服役寿命。同时，利用玻璃陶瓷的形成机制，可在温度900℃烧结形成玻璃陶瓷的同时实现封装成型，简化了封装工艺，提高封装质量和产品的一致性，对完成航天用户新的需求指标、研制国际先进水平的耐高温真空热敏电阻器有重要的现实...
本发明涉及一种钛酸铋基钙钛矿相热敏陶瓷复合材料及其制备方法和用途，该材料使用金属盐作为原料，采用Pechini法制备出xNa0.5Bi0.5TiO3‑(1‑x)Zn0.5Bi0.5TiO3（0）粉体，粉体经干燥、预烧、研磨、预压成型、冷等静压、烧结加工工艺，即可得到钛酸铋基钙钛矿相热敏陶瓷材料，该材料晶粒小且均匀、致密度好，并在温度350‑900℃范围具有明显负...
本发明涉及一种锰镍钴锂氧热敏陶瓷材料的制备方法，该方法以分析纯MnSO4·H2O，CoSO4·7H2O和NiSO4·6H2O配制成浓度为1.2M/L的混合溶液，加入沉淀剂，用氨水调节pH，过滤，洗涤并干燥以获得粉末Mn0.4Co1‑xNi0.6（CO3）2‑X，再将粉末Mn0.4Co1‑xNi0.6(CO3)2‑X和分析纯的Li2CO3研磨，得到粉体...
本发明涉及一种四氟硼酸胍非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为[C(NH2)3]BF4，分子量为146.89，属于三方晶系，空间群为R3m，晶胞参数为a=7.4634(10)Å，b=7.4634(10)Å，c=9.1216(19) (6)Å，Z=3；紫外截止边为200 nm，倍频响应为商业化非线性光学晶体KDP的4‑5倍，采用水热法、室温溶液法、蒸...
本发明提供一种化合物硼硝酸铷和硼硝酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为Rb3B6O10NO3，分子量为543.28，采用固相合成法或真空封装法制备；该晶体化合物的化学式为Rb3B6O10NO3，分子量为543.28，属于三方晶系，空间群为P3221，晶胞参数为a=8.3764Å，b=8.3764Å，c=15.6901Å，α=β=90°，γ=120°...