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中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室“无机光电功能晶体材料”罗军华研究员团队以创制强光电耦合的新型光铁电晶体材料为主要目标，成功设计制备出系列铁电极化与半导体光生载流子耦合的杂化光铁电体，开辟了杂化“光铁电半导体”研究新领域；发展出新一代铁电极化驱动的光电探测技术、高灵敏偏振探测技术及高性能高能射线探测技术。
中国科学院福建物质结构研究所高居里温度“光铁电半导体”获得进展（图）
高居里温度 光铁电 半导体
2021/9/16
中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室“无机光电功能晶体材料”罗军华研究员团队以创制强光电耦合的新型光铁电晶体材料为主要目标，成功设计制备出系列铁电极化与半导体光生载流子耦合的杂化光铁电体，开辟了杂化“光铁电半导体”研究新领域；发展出新一代铁电极化驱动的光电探测技术、高灵敏偏振探测技术及高性能高能射线探测技术。
内嵌有机半导体的二维钙钛矿材料研究获新进展（图）
二维钙钛矿材料 光电特性 内嵌有机半导体
2021/8/6
美国普渡大学Letian Dou（窦乐添）教授近期在《国家科学评论》（National Science Review, NSR）上发表Perspective文章，建议将这类有机半导体钙钛矿杂化材料命名为“OSiP”：organic semiconductor-incorporated perovskite。
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展（图）
半导体材料 石墨烯 氮化物
2021/8/2
中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学、北京石墨烯研究院、北卡大学的科研团队合作，实现了石墨烯玻璃晶圆氮化物“异构外延”突破，证实了氮化物外延摆脱衬底限制的可能性，为不同半导体材料之间的异构集成提供了新思路。
中国科学院半导体研究所等在面向后摩尔时代的半导体材料“异构外延”研究中获进展（图）
石墨烯 氮化物 单晶 薄膜
2021/8/2
近期，中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学、北京石墨烯研究院、北卡大学的科研团队合作，实现了石墨烯玻璃晶圆氮化物“异构外延”突破，证实了氮化物外延摆脱衬底限制的可能性，为不同半导体材料之间的异构集成提供了新思路。研究人员提出一种纳米柱辅助的范德华外延方法，利用金属有机化学气相沉积（MOCVD），首次在玻璃衬底上成功外延出连续平整的准单晶氮化镓（GaN）薄膜，并制备出蓝光发光二极管（LED）...
基于有机高分子半导体的场效应晶体管具有柔性、价廉、质轻、可大面积制备等优势，可广泛应用于物联网智能电子器件及生物可穿戴器件等领域，近年来得到了广泛的研究与关注。为此，人们研究了一系列高性能的p-型，n-型和双极性有机高分子半导体。与此同时，具有多种功能以及性能可调的有机半导体场效应器件也得到了越来越多的重视。这些多功能场效应器件通常使用对特定外场刺激具有响应的有机小分子及聚合物材料，从而在特定外场...
近日，《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）和《物理评论材料》（Physical Review Materials）刊发了华中科技大学武汉光电国家研究中心肖泽文教授课题组关于氯化物钙钛矿宽禁带半导体可掺杂性的研究成果。两篇论文的题目分别为“p‐Type Transparent Quadruple Perovskite Halide Conductors: F...
近日，我校理学院谭佐军教授带领的“光电系统与信息处理”团队和中国科学院武汉物理与数学研究所研究员张嵩研团队合作，在钙钛矿半导体材料缺陷钝化及太阳能电池性能提升方面取得新进展。相关研究成果以“In situ defect passivation with silica oligomer forenhanced performance and stability of perovskite solar...
基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述
纳米线 半导体 Ⅲ-Ⅴ族 气-液-固模式
2019/12/10
Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构调控手段,研究具有重要应用价值的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的可控生长方法和技术,从而获得可应用于器件和功能实现的高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线是目前各研究组的主要目标。
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室研究员王俊课题组在二硒化铂（PtSe2）超快载流子动力学及其半导体向半金属转变的层数依赖特性研究方面取得进展，为过渡金属硫化物的非线性光学性质研究以及在光子学方面的应用提供了理论和实验指导。相关研究成果作为当期内封面文章发表在Laser & Photonics Review [13, 8, (2019)]期刊上。
中国科学院半导体材料科学重点实验室2016年度批准开放课题。
科学家制备超薄半导体材料
科学家 制备 超薄 半导体材料
2019/4/15
南京工业大学教授王琳课题组制备的超薄高质量二维碘化铅晶体，实现了对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控。日前这一成果发表在《先进材料》上。
随着柔性透明电子技术的兴起，二维半导体材料近年来备受关注，特别是直接带隙特性使得这些二维结构有望应用在光电子学领域。在过去十年里，研究者们已相继发展出MoS2和磷烯等典型的具有直接带隙的二维半导体材料。然而，MoS2的带隙是层数依赖性的，直接带隙仅能在单层结构中实现，而磷烯在空气环境中的化学性质不稳定。因此，近年来众多研究致力于优化这些二维结构并探索更多的二维半导体组员。二维过渡金属碳化物（MXe...
近日，包括特聘教授陈宇林、助理教授柳仲楷、薛加民、李刚课题组在内的我校物质学院科研团队，与北京大学彭海琳课题组紧密合作，在新型超高迁移率层状氧化物半导体材料Bi2O2Se的电子结构研究中取得重要进展。9月14日，相关工作以“Electronic Structures and Unusually Robust Bandgap in an Ultrahigh Mobility Layered Oxid...