搜索结果: 91-102 共查到“材料科学 半导体”相关记录102条 . 查询时间(0.085 秒)
半导体所高性能GaN外延材料研究取得进展
半导体
2008/1/18
近日，由中国科学院半导体研究所承担的知识创新工程重要方向项目——“高性能氮化镓(GaN)外延材料研究”通过了专家鉴定。以氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料，是继半导体第一代硅材料和第二代砷化鎵材料之后，在近十年迅速发展起来的新型宽带隙半导体材料，是目前全球半导体研究的前沿热点和各国竞相占领的战略高技术制高点。2002年中国科学院瞄准国家重大战略需求和世界科技前沿，将“新型高頻大功率化合...
科研进展----分子导线：半导体性-金属性组合双壁纳米碳管（图）
纳米
2008/1/17
窄直径分布的DWNT高分辨电镜照片双单壁纳米碳管和单壁纳米碳管束拉曼光谱的比较 （内径1.0-1.3 nm，外径1.7-2.0 nm） 双壁纳米碳管由于独特的双层结构，为在纳米器件领域的应用奠定了基础。如根据构成两层单壁纳米碳管的导电性不同，可用作分子导线和记忆功能的分子存贮器等纳米电子器件，并可用作分子轴承、分子马达等纳米机械器件。同时，双壁纳米碳管的双层结构也为研究层间作用力对声子和电子结构的...
分子导线：半导体性-金属性组合双壁纳米碳管
纳米
2008/1/16
双壁纳米碳管由于独特的双层结构，为在纳米器件领域的应用奠定了基础。如根据构成两层单壁纳米碳管的导电性不同，可用作分子导线和记忆功能的分子存贮器等纳米电子器件，并可用作分子轴承、分子马达等纳米机械器件。同时，双壁纳米碳管的双层结构也为研究层间作用力对声子和电子结构的影响提供了理想的平台。但是迄今为止，所制备的双壁纳米碳管由于纯度低、无序排列和直径分布较宽的特点，严重阻碍了对其深入的理论研究和实际应用...
ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展
2007/12/13
摘要 稀磁半导体(DMSs)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性, 具有优异的磁、磁光、磁电等性能, 在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景. 本文对近几年来ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展作一综述, 对研究热点和存在问题作一评价, 提出解决的思路, 最后对DMSs器件的潜在应用作简单介绍.
飞秒激光沉积β-FeSi2/Si半导体膜及光学性能研究
2007/12/12
摘要 采用飞秒脉冲激光沉积法在Si(100)和Si(111)单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜; 用X射线衍射(XRD), 场扫描电镜(FESEM), 能谱仪(EDX), 傅立叶红外拉曼谱仪(FTRIS)研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能. 观察到了β-FeSi2在Si单晶基片上的生长与晶面取向有关的证据, 并在室温(2℃)下观测到β-FeSi2薄膜的光致发光, 其发光波长为1....
室温生物诱导合成硒化铅纳米半导体
纳米
2007/12/12
摘要 以醋酸铅和硒代硫酸钠作为反应物, 蛋壳薄膜作为生物活性载体, 设计一种在生物活性材料参与下室温原位合成硒化铅纳米团簇的新方法. 利用蛋膜上特定周期性分布的大分子与无机前驱体离子之间的螯合作用和电荷作用, 引导和控制硒化铅微晶在蛋膜载体上的形成、聚集和分布, 成功制得结晶完善且在蛋膜上均匀分布的具有规则形状的硒化铅纳米团簇. 紫外-可见光谱和荧光光谱分析表明所制备的硒化铅纳米粒子具有均匀的小尺...
复合半导体光催化材料ZnFe2O4-TiO2/SiO2结构与光响应性能研究
2007/12/12
摘要 采用溶胶-凝胶法制备了负载型复合半导体光催化材料ZnFe2O4-TiO2/SiO2, 并通过DTA-TG、XRD、XPS、Raman、TPR及UV-Vis DRS等实验技术对复合材料的晶体结构、表面组成及光响应性能进行了表征和评价. 结果表明: ZnFe2O4晶相以高分散状态存在于光催化材料的表面; ZnFe2O4与TiO2复合可使部分Fe3+进入体相TiO2的晶格中, 促进其由锐钛矿向金红...
IBM开发新型半导体材料 闪存速度将提高500倍
IBM 新型半导体材料 材料
2006/12/13
中新浙江网2006年12月12日电 IBM和两家合作伙伴的科学家已经开发出一种新型材料，他们认为这将催生新型的内存芯片，满足日益增长的存储数字音乐、图像、视频的需求。
稀磁半导体Zn1−xNixO的室温铁磁性
稀磁半导体 ZnO 铁磁性
2010/3/11
利用溶胶-凝胶方法制备不同成分的Zn1−xNixO(x=0.05，0.10，0.15)稀磁半导体材料，产物由直径约70 nm的六边形颗粒组成。利用振动样品磁强计测量了样品的磁学性能，发现在室温条件下存在明显的铁磁性，且随着镍浓度的增加，样品的饱和磁化强度增加，但样品的单个镍原子的磁矩是逐渐下降的。X射线衍射分析结果表明，样品中不存在镍及镍的氧化物，且晶格常数随镍含量的增加而略有增大，并...
《自然》杂志网站报道半导体所纳米技术研究成果
中国科学院半导体所 半导体所纳米技术 材料科学
2006/9/15
2006年9月1日，在英国《自然》杂志网站的纳米技术专栏上，来自中国科学院半导体所材料科学重点实验室关于宽禁带半导体氮化铟低维结构研究的科研成果被作为研究亮点进行重点评论报道。
半导体微盘的回音壁模式研究
回音壁模式 时域有限差分法 Q值
2012/11/14
采用二维时域有限差分法(FDTD),计算分析了半导体微盘的形状如圆形、椭圆形等对激发其回音壁模式的影响;同时也研究了半导体微盘在不同的增益介质如水、空气、乙醇等中所形成的回音壁模式.研究结果表明:①在同一增益介质中,半导体微盘形状对形成回音壁模式有很大的影响,模式的形成与各点的曲率半径有关,曲率半径越大,越容易形成回音壁模式;②在不同增益介质中,相对折射率n12越大,越容易形成回音壁模式,且有利于...