搜索结果: 61-75 共查到“材料科学 半导体”相关记录102条 . 查询时间(0.089 秒)
武汉理工大学材料物理课件第五章第四节 半导体物理(一)。
最近,复旦大学先进材料实验室、化学系赵东元院士课题组提出了一种新颖的同时调控介孔孔道和晶粒取向的方法—溶剂挥发诱导取向自组装方法(evaporation-driven oriented assembly method),成功合成了均匀的介孔半导体氧化钛微球,实现对半导体孔道及其晶面的双重择优取向。5月8日,相关研究成果 (“Radially oriented mesoporous TiO2 mic...
金属-半导体复合物的“等离子体协同效应”,使其在光催化,光电器件以及激光等领域都具有广泛的应用前景。因此,如何精确地控制合成金属-半导体复合物纳米结构,已然成了研究热点。
美国首次制造出不使用半导体的晶体管
美国 首次 制造出不使用半导体 晶体管
2013/6/28
据美国每日科学网站2013年6月21日报道,美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点,实现量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。
2013年6月16日-17日,2013海峡科技专家论坛暨海峡两岸先进半导体封装材料发展趋势研讨会在厦门云顶山庄酒店顺利举行。本次论坛为期两天,由中国材料研究学会、中国材料科学学会(台湾)、中国集成电路材料产业技术创新联盟、厦门大学主办,厦门大学材料学院、德邦科技有限公司承办。来自海峡两岸的数十名专家、教授将围绕先进半导体封装材料的研发与应用进行深入的探讨与交流。开幕式由厦门大学材料学院院长刘兴军教...
设计一种特别的TiCoSb复合靶材, 通过调节各元素在复合靶材上所占面积的大小, 可以方便地调节薄膜的成分. 采用这种靶材, 利用直流磁控溅射和快速退火成功制备单一物相的多晶TiCoSb薄膜; 采用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)和原子力显微镜(atomic force microscopy, AFM)分析TiCoSb薄膜的结构和表面形貌; 利用Hall测试仪初步研究薄膜...
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
复合半导体 纳米线 成功整合 硅晶圆
2011/12/14
据美国物理学家组织网2011年11月9日报道,美国科学家开发出一种新技术,首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上,攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示,这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。
裴坚课题组在有机功能半导体材料的合成及其应用中取得进展(图)
裴坚课题组 有机功能半导体材料 合成 应用进展
2011/6/17
近日,北京大学化学与分子工程学院裴坚课题组与华南理工曹镛院士合作结合本身在有机半导体材料领域内的工作基础,开发了一系列基于有机功能材料的微纳米功能结构,并对如何调控有机半导体分子在微纳米尺寸上的生长和性质进行了系统研究,最终将其应用于构建新型高效率有机半导体微纳米器件及微纳米体相杂化器件。
2011年4月7日至8日,“十一五”863计划新材料领域2007年立项专题课题验收会召开,本次会议对中科院半导体研究所新材料领域立项的11个课题进行验收。科技部高技术中心副主任刘燕美、材料处处长史冬梅及项目主管苏小虎出席了验收会;验收会专家组组长为北京邮电大学任晓敏教授,副组长为清华大学潘峰教授,成员包括北京大学沈波教授、北京交通大学延凤平教授、吉林大学王一丁教授、上海微系统所科技处长程建功研究员...
半导体所召开2010年度夏季发展战略研讨会(图)
半导体所 夏季发展战略 研讨会
2010/8/12
为进一步深化科研布局,凝练科技目标,提升战略重点,深入研讨“十二五”和“创新2020”的新形势、新思路、新任务、新举措,7月25日至27日,半导体所召开了2010年度夏季发展战略研讨会。所长李晋闽,党委书记陈树堂,副所长陈弘达,副所长、副书记李树深,副书记张春先,学术委员会委员,各实验室(中心)负责人,课题组长等共30余人参加。
第360次香山会议研讨“高效氮化物半导体白光照明材料”
第360次 香山会议 照明材料
2009/11/20
有机清漆在5‰硫酸溶液中的半导体导电行为
清漆 导电机制 P型半导体
2009/9/29
采用电位-电容法及Mott-Schottky分析技术研究了有机清漆在5‰硫酸溶液中的半导体导电行为.研究表明,有机清漆空间电荷层电容远小于裸露碳钢电极,随着浸泡时间的延长,其Csc逐渐增大,其空间电荷层逐渐减小;有机清漆在5‰硫酸溶液中呈现不同类型的半导体导电特征,酚醛和环氧清漆膜呈n型半导体,而醇酸清漆膜则表现为p型半导体特征,且随着浸泡时间的延长,漆膜中载流子浓度逐渐增加.
304L不锈钢钝化膜半导体性能研究
电容测量法 半导体性能 杂质密度
2009/9/24
利用极化曲线、电容测量法和X射线光电子能谱(XPS)研究了304L不锈钢在0.5 mol/L NaHCO3溶液中所形成的钝化膜的半导体性能,同时对影响钝化膜半导体性能的因素进行了讨论.结果表明:在电位小于-0.4 V范围内,膜呈p型半导体特性;当电位处于-0.4 V至0.26 V范围内膜呈n型半导体特性.随着测试频率的降低及成膜电位的负移,Mott-Schottky曲线的斜率减小,表明膜内的杂质密...
防锈油膜在5%Na2SO4溶液中的半导体导电行为
防锈油膜 导电机制 型半导体
2009/9/15
采用电位—电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在5% Na2SO4溶液中失效过程的导电机制转变行为.防锈油膜在5% Na2SO4溶液中的失效过程存在半导体导电特征,随着浸泡时间的延长,防锈油膜从浸泡初期的p型半导体转变为n型半导体,转变过程中,防锈油膜中出现两个空间电荷过渡层.随着浸泡时间的延长,防锈油膜中的空间电荷层厚度皆逐渐减小,载流子密度则逐渐增加,并且...