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电子科技大学微电子与固体电子学院电子材料课件6 半导体陶瓷
电子科技大学微电子与固体电子学院 电子材料 课件 半导体陶瓷
2009/8/18
电子科技大学微电子与固体电子学院电子材料课件6 半导体陶瓷。
304不锈钢钝化膜在不同溶液中的半导体导电行为
不锈钢钝化膜 导电机制
2009/2/4
采用电位-电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下304不锈钢钝化膜在酸、碱性溶液中的半导体导电行为。研究表明，304不锈钢钝化膜在不同溶液体系中表现出不同的导电特征，在5‰H2SO4溶液中，呈现两个空间电荷层，扫描电位低于0 VSCE，钝化膜呈现p型半导体导电特征。而扫描电位大于0 VSCE，钝化膜呈现n型半导体导电特征。钝化膜在5%NaOH溶液中呈现p型半导体导电特征。...
沸石多孔材料中半导体纳米团簇生长过程的研究（图）
沸石多孔材料 半导体纳米团簇 生长过程
2009/2/2
具有低维或超细特点的半导体材料与半导体体材料有着截然不同的特异性能。材料的光电子性能和各种量子效应都将发生显著的变化。制备团簇材料是发展半导体材料的一条重要途径。团簇即由几个到几百个原子或分子所构成的集合体。其尺寸一般为埃数量级.。这种材料具有低维半导体的基本特性。沸石多孔材料中具有许多纳米数量级的网眼。通过离子交换可以在这些网眼中制备具有低维性、均匀性和稳定性的团簇。
半导体纳米光电记忆复合材料设计及其应用（图）
半导体纳米 光电记忆 复合材料
2009/2/2
纳米体系的光学应用需要优质材料, 这取决于纳米复合结构, 利用纳米复合材料的表面设计原理开展功能无机-有机分子复合膜设计与制作，研究其纳米电子结构特征、光学特性、光学信息存储及机理等。通过这些研究可发现新的光学响应现象和原理, 可能开发出新的纳米光学器件。
硅基纳米半导体发光材料（图）
硅基纳米 半导体 发光材料
2009/2/2
21世纪是高度信息化的时代，微电子信息处理的速度迅速发展，但逐步趋向极限。要有所突破，实现光电集成是必由之路。在硅片上实现光电集成从工艺和材料上看是最理想的方案，但受到以下限制：硅具有间接带隙，只能发射极微弱的红外光，长期以来被认为不适合于光子学应用，特别是不能用作在光子学中起关键作用的光源。1990年多孔硅的室温强可见光发射被发现，使人们看到了硅被应用于光子学光源的可能性。我们组近十年的研究一直...
硅基纳米半导体发光材料和纳米结构
硅基纳米半导体 发光材料 纳米结构
2009/2/2
微电子技术正在向纳米电子技术和光电子技术发展，合理的途径是以硅和硅集成技术为基础，实现硅基纳米电子和光电子集成。该研究是为实现硅基纳米集成奠定基础。
金属与半导体纳米微粒上的化学与光化学反应（图）
金属 半导体纳米 光化学反应
2009/2/2
合成金属、半导体、以及两者复合纳米微粒。沉积在半导体表面的金属簇有电子库作用，库中电子寿命长达几分钟。半导体导带和价带能级因为沉积金属而发生改变，原来不能敏化TiO2的卟啉化合物，因为TiO2沉积金属簇而使其有效敏化。过渡金属阳离子在银纳米微粒上的吸附改变银胶的光谱性能，碱金属阳离子不具备该效应。改变合成微环境可以调控纳米微粒尺寸、表面电荷、反应性能。
GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备
光电材料 GaN半导体
2008/11/24
GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备是LED外延片生产的必备设备，作为生产、销售的主要依据，因为其无损检测的速度快，成本低，结果直观，可以在外延片出炉后马上检测，成为下一炉工艺参数调整的依据。检测的结果也是销售数据。该成果的光致发光采用400nm半导体激光器，比国外采用的气体激光器，具有成本低、易操作、光强稳定、寿命长、能耗低等特点；光致发光可以给出积分光强、峰值波长、光谱半宽、...
氢对310不锈钢钝化膜半导体性质的影响
钝化膜 钝化电位 氢 不锈钢
2008/10/24
采用交流阻抗和光电化学方法研究了氢对310不锈钢钝化膜半导体性质的影响.结果表明,氢对310不锈钢钝化膜的半导体类型没有影响,均是n型对未充氢的试样,随钝化电位的升高,钝化膜的施主浓度降低而平带电位则升高.氢能升高310不锈钢钝化膜的电容、施主浓度和平带电位.氢使310不锈钢钝化膜的光电流峰值升高、峰位后移,即氢降低钝化膜的光学禁带宽度,这和氢使钝化膜中Cr的化合物含量下降有关.
中国科学院化学研究所成功实现光控有机－无机半导体异质结纳米线的可控构筑
无机杂化纳米材料 可控构筑
2008/9/19
在国家自然科学基金委、科技部和中科院的大力支持下，化学所有机固体院重点实验室的研究人员在可控构筑有机/无机半导体异质结纳米线的研究方面又取得了新的进展，相关的研究结果已经发表在J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 9198-9199。
有机固体院重点实验室的科研人员在光控有机/无机P－N结纳米线的构筑研究方面取得了新进展，实现了有机/无机半导体P－N结纳米线的可控...
PZT铁电陶瓷的氢致半导体化
PZT-5H铁电陶 氢 氢致半导体化
2008/8/1
研究了锆钛酸铅铁电陶瓷(PZT-5H)的氢致半导体化现象. 结果表明，随试样中氢浓度的升高，漏电电流和载流子浓度升高，电阻率下降，颜色由黄变黑. 即氢能使PZT-5H铁电陶瓷从绝缘体变成n型半导体. 高于Curie点充氢时，能抑制PZT-5H从立方的顺电相向四方的铁电相的转变，室温下铁电性消失. 但室温电解充氢并不抑制相变. 高温除氢后试样的性能及颜色均恢复.
采用显微压痕方法研究了Si、Ge、GaAs和InP四种半导体单晶的变形与断裂行为.通过测量[100]取向单晶体面内的显微硬度、裂纹开裂的临界压痕尺寸以及断裂韧性, 分析了这四种材料力学性能的面内各向异性行为. 结果表明: 在压痕载荷的作用下, Si和Ge的塑性变形以剪切断层为主, 而GaAs和InP则通过滑移系的开动协调变形. [100]取向的Si、Ge、GaAs和InP四种单晶的面内显微硬度、弹...
中国科学院半导体研究所在非极性GaN材料研究中取得进展
非极性GaN材料 ZnO缓冲层
2008/6/17
在国家863项目和中国科学院创新工程的支持下，中科院半导体研究所曾一平研究员带领的课题，采用自行研制的HVPE氮化物生长系统，通过在m面蓝宝石上磁控溅射生长薄层的ZnO缓冲层，进而外延生长获得了非极性GaN厚膜材料，该材料具有较低的位错密度，适合开发用于LED、LD等氮化物发光器件的衬底材料，同时对比实验表明，薄层的ZnO对于形成非极性GaN起到了至关重要的作用，没有ZnO缓冲层的m面蓝宝石上只能...
上海硅酸盐所半导体纳米管设计和可控制备研究取得重要进展
纳米
2008/1/18
最近，上海硅酸盐研究所在IV-VI族化合物半导体纳米管设计和可控制备研究中取得重要进展。该所朱英杰研究员带领的课题组发明了一种生物分子辅助纳米晶定向自组装新方法，巧妙地利用含多功能基团的生物分子在室温下成功地制备出一系列铅的硫族化合物(PbS, PbSe, PbTe)半导体多晶纳米管。所制备的铅的硫族化合物多晶纳米管表现出了明显的量子限域效应，在红外成像、红外激光器、半导体红外探测、光敏电阻器、太...